Molecular-Beam Epitaxy Growth and Properties of AlGaAs Nanowires with InGaAs Nanostructures

Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2022. Vol. 16. No. 7. Article 2200056.

Reznik R., Ilkiv I., Kotlyar K., Gridchin V., Bondarenko D., Lendyashova V., Ubyivovk E., Anna S. Dragunova, Natalia V. Kryzhanovskaya, Cirlin G. E.

Комбинации нитевыдных нанокристаллов (ННК) AIIIBV с квантовыми точками (КТ) являются многообещающими материалами для квантовых источников света. В настоящей работе впервые показаны результаты выращивания ННК AlGaAs с КТ InGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке. Определена оптимальная температура роста и исследованы физические свойства выращенных наноструктур. Показано, что выращенные наноструктуры проявляют сигнал фотолюминесценции (ФЛ) вплоть до комнатной температуры в широком диапазоне длин волн, включая излучение на длине волны 1,3 мкм, что важно для передачи через оптическое волокно. Обнаружено, что в дополнение к КТ InGaAs внутри ННК образуются радиальные квантовые ямы InGaAs в результате конкуренции латерального/аксиального роста InGaAs. Предлагаемая технология открывает новые возможности для интеграции материалов прямого диапазона AIIIBV с кремниевой подложкой для различных применений в области кремниевой фотоники и технологий квантовой связи.

Ключевые слова: квантовые точки, кремний, silicon, quantum dots, nanowires, molecular-beam epitaxy, молекулярно-пучковая эпитаксия, нитевидные нанокристаллы, III–V semiconductors, A3B5 полупроводники

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники (2022)