?
Electrically controllable cyclotron resonance
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2021. Vol. 103. Article 125301.
Заболотных А. А., Волков В. А.
Singapore: Springer Singapore, 2026.
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Чибисов А. Н., Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 71 P. 99–103
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752
Добавлено: 10 октября 2026 г.
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Исаев Т. Ф., Шаров А. Н., Журнал вычислительной математики и математической физики 2026 Т. 66 № 1 С. 83–93
Исследуются свойства оптических покрытий на основе использования упрощенного симулятора ошибок в толщинах слоев покрытий при их напылении. Обосновывается возможность такого подхода. Выводятся аналитические оценки среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и степени коррелированности ошибок в толщинах слоев покрытия. Изучается зависимость среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и свойств покрытия от уровня случайных ошибок в слоях. ...
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Осипова А. М., Пилипенко С. В., Novikov D. I. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 063522
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Gribova N. I., Osmanov S. V., Lyashko S. D. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2025 No. 614 P. 1–8
Добавлено: 4 октября 2026 г.
Seleznev G., Fominov Yakov V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074505
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 04 Article 101
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article L051102
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Заболотных А. А., Загороднев И. В., Калябин Д. В. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 4 С. 293–299
Теоретически изучен микроволновый отклик двумерной (2D) электронной системы, расположенной на диэлектрической ферромагнитной пленке, которая, в свою очередь, лежит на проводящем металле (затворе), при этом вся система помещена во внешнее постоянное магнитное поле. Найдено, что ферромагнитный резонанс пленки и циклотронный резонанс электронов 2D системы в магнитном поле взаимодействуют, что приводит к их расталкиванию (“антикроссингу”). Обнаружено, что в области антикроссинга происходит ...
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
Андреева С. А., Щепетильников А. В., Николаев Г. А. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2025 Т. 121 № 7-8 С. 674–680
Квантовый фазовый переход был обнаружен в многодолинной двумерной электронной системе, заключенной в AlAs квантовой яме, при низкой температуре и в больших магнитных полях. Переход возникал при последовательном увеличении угла наклона магнитного поля и сопровождался появлением особенности - острого пика - в продольном сопротивлении образца. Несмотря на то, что тип наблюдаемого фазового перехода крайне сложно установить ...
Добавлено: 22 апреля 2025 г.
Пудалов В. М., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2022 Т. 116 № 7-8 С. 456–471
В обзоре рассмотрены ключевые экспериментальные результаты по выявлению и изучению свойств
неоднофазного состояния, возникающего в двумерных электронных системах вследствие взаимной игры
межэлектронных взаимодействий и беспорядка. В фокусе обзора – результаты, полученные на кремниевых полевых структурах (Si-МДП) с высокой подвижностью, в которых эффекты взаимодействия при
низких концентрациях носителей проявляются наиболее ярко вследствие сильного e-e взаимодействия,
многодолинного спектра и короткопериодного характера ...
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Кулик Л. В., Журавлев А. С., Белозеров Е. И. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 112 № 8 С. 516–522
Исследованы спектры резонансной и нерезонансной фотолюминесценции двумерной электронной системы в условиях формирования дробного состояния квантового эффекта Холла 1/3. Показано, что, в отличие от нерезонансной фотолюминесценции, резонансная фотолюминесценция служит универсальным маркером формирования дробного состояния 1/3 в объеме двумерной системы. Обнаружено, что в состоянии 1/3 вероятности оптических переходов с нулевого уровня Ландау электронов изменяются столь значительно, что ...
Добавлено: 17 июня 2021 г.
Пудалов В. М., Гершензон М. Е., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 111 № 4 С. 237–241
При измерении осциллирующего магнитосопротивления в двумерной системе в Si-MOS структурах
в слабом перпендикулярном магнитом поле мы обнаружили, что квантовые осцилляции наблюдаются
вплоть до критической электронной концентрации nc перехода в режим сильной локализации. При столь
малых концентрациях осцилляции имеют ожидаемый период, фазу и амплитуду, несмотря на то, что
значение проводимости становится менее e2/h, и, следовательно, длина пробега становится менее \lambda_F.
Это ...
Добавлено: 13 мая 2020 г.