?
Control of the surface plasmon dispersion and Purcell effect at the metamaterial-dielectric interface
Scientific Reports. 2020. Vol. 10. No. 1. Article 20828.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Gritsienko A. V., Kurochkin N. S., Lega P. V. и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2015 Article 012052
Добавлено: 2 декабря 2021 г.
Gritsienko A. V., Kurochkin N. S., Lega P. V. и др., Nanotechnology 2022 Vol. 33 No. 1 Article 015201
Добавлено: 22 октября 2021 г.
Beliaev L., Takayama O., Мелентьев П. Н. и др., OPTO-ELECTRONIC ADVANCES 2021 Vol. 4 No. 8 Article 210031
Фотолюминесценция, в том числе флуоресценция, играет огромную роль в широком спектре приложений, от биомедицинского зондирования и визуализации до оптоэлектроники. Таким образом, усиление и контроль фотолюминесценции имеет огромное влияние как на фундаментальные научные исследования, так и на вышеупомянутые приложения. Среди различных нанофотонных схем и наноструктур для усиления фотолюминесценции мы рассматриваем определенный тип наноструктур, образующих, так называемые, гиперболические метаматериалы (ГММ). ГММ ...
Добавлено: 16 октября 2021 г.
Pozina G., Girshova E., Morozov K. и др., Annalen der Physik 2019 Vol. 531 No. 6 Article 1800388
Добавлено: 9 октября 2021 г.
Добавлено: 9 октября 2021 г.
Добавлено: 9 октября 2021 г.
Добавлено: 9 октября 2021 г.
Ignatyeva D., Kapralov P., Golovko P. и др., Sensors 2021 Vol. 21 No. 6 Article 1984
Добавлено: 13 марта 2021 г.
В этой статье мы представляем измерения и сравнение длины распространения SPP на практически важной длине волны излучения, широко используемой в телекоммуникациях (1560 нм), а также в ближнем инфракрасном и видимом спектральных диапазонах. Измерения проводились для плоских плазмонных волн, возбуждаемых на поверхности пленки Ag, с помощью оптической микроскопии плазмонных волн в дальнем поле. Мы также демонстрируем возможность визуализации распространения SPP-волн ...
Добавлено: 15 января 2021 г.
Мелентьев П. Н., Кузин А. А., Гритченко А. С. и др., Optics Communications 2017 Vol. 393 No. 15 P. 509–513
Добавлено: 4 февраля 2019 г.
Балыкин В. И., Калмыков А. С., Optical Materials Express 2018 Vol. 8 No. 11 P. 3254–3261
Добавлено: 4 февраля 2019 г.