• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Стимулированное излучение на длине волны 2.86 мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки

Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Морозов С. В., Кудрявцев К. Е., Ситникова А. А., Иванов С. В.

Метаморфные лазерные гетероструктуры In(Sb,As)/In0.81Ga0.19As/In0.75Al0.25As с составными квантовыми ямами InSb/InAs/InGaAs на основе субмонослойных вставок InSb в 10 нм-InAs были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). В таких структурах без оптического резонатора продемонстрировано стимулированное излучение на длине волны λ∼2.86мкм при температурах 10–60 К в условиях оптической накачки. Пороговая плотность мощности накачки составила ∼ 5 кВт/см2 при температуре 10 К.