• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs

Шерняков Ю., Гордеев Н., Паюсов А., Серин А., Корнышов Г., Надточий А. М., Кулагина М., Минтаиров С., Калюжный Н., Максимов М. В., Жуков А. Е.

Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур
InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свой-
ствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость
коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как
с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения.
В лазере с 10 слоями квантовых яма-точек линия лазерной генерации остается в пределах основного
оптического перехода вплоть до самых малых длин резонатора (100 мкм). В приборах с одним слоем
квантовых яма-точек и (или) малым фактором оптического ограничения при уменьшении длины резонатора
до  200 мкм происходит переключение лазерной генерации с основного состояния квантовых яма-точек
непосредственно на состояния волновода, минуя возбужденные состояния. Данный эффект не наблюдался
в лазерах на квантовых ямах и квантовых точках и может быть следствием аномально малой плотности
возбужденных состояний в квантовых яма-точках.