• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

GaN nanowires on Si (111) substrates via molecular beam epitaxy: growth, electronic and optical properties

Journal of Physics: Conference Series. 2018. Vol. 1092. No. 1. P. 1-4.
Bolshakov A. D., Fedorov V. V., Sapunov G. A., Mozharov A. M., Dvoretckaia L. N., Shugurov K. Y., Shkoldin V. A., Shtrom I. V., Mukhin M., Cirlin G. E., Mukhin I. S.