• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Многоуровневая запись в тонких пленках Ge2Sb2Te5

Фефелов С. А., Казакова Л. П., Богословский Н. А., Былев А. Б., Якубов А. О.

Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект переключения, фазовая память, шнур тока, многоуровневая запись.