?
Electronic states in GaAs photoconverters with InGaAs quantum well-dots
Applied Physics Express. 2020. Vol. 13. No. 1. Article 015009.
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
английский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Дмитриев А. В., Корнилов В. В., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Дмитриев А. В., Shulman I., Лебедев А. А., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Makarov D. M., Каликин Н. Н., Fashchevsky K. A. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 579 Article 150159
Добавлено: 13 октября 2026 г.
В данной работе проведено сравнение точности дальнометрии лидарных архитектур прямого времени пролёта (dToF) и вне прямой видимости (NLOS), обе из которых используют сверхпроводящий нанопроволочный детектор одиночных фотонов (SNSPD). Обе системы работают на длине волны 1550 нм с импульсным лазером длительностью 50 пс и методом коррелированного во времени счёта одиночных фотонов (TCSPC). Конфигурация dToF обеспечила точность около 100 мкм ...
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Singapore: Springer, 2026.
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Zaman N., Li Y., Zheng T. и др., Journal of Materials Chemistry A 2026 Vol. 14 No. 25 P. 15971–15983
Добавлено: 1 марта 2026 г.
-, 2025.
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Roghani H., Borhani E., Jafarian H. R. и др., Wear 2023 Vol. 526-527 Article 204895
Добавлено: 18 февраля 2025 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Elnaggar M., Mumyatov A., Emelianov N. и др., SUSTAINABLE ENERGY & FUELS 2023 Vol. 7 No. 16 P. 3893–3901
Добавлено: 18 января 2024 г.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Polynskaya Y., Sinitsa A., Vyrko S. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2023 Vol. 148 P. 1–7
Добавлено: 23 августа 2023 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260–264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.