?
Ab Initio Study of the Early Stage of Si Epitaxy on the Chlorinated Si(100) Surface
Journal of Physical Chemistry C. 2019. Vol. 123. No. 32. P. 19806-19811.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Павлова Т. В., Physical Chemistry Chemical Physics 2020 Vol. 22 P. 21851-21857
Добавлено: 2 ноября 2020 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V.M., Andryushechkin B. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 23 P. 235410-235410
Добавлено: 16 ноября 2020 г.
Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells
Baidakova N. A., Вербус В. А., Morozova E. E. и др., Semiconductors 2017 Vol. 51 No. 12 P. 1542-1546
Добавлено: 16 февраля 2018 г.
T.V. Pavlova, Шевлюга В. М., B.V. Andryushechkin и др., Applied Surface Science 2020 Vol. 509 P. 145235
Добавлено: 18 мая 2020 г.
Zelenina A. I., Gordeev I. S., Колотова Л. Н., Journal of Non-Crystalline Solids 2023 Vol. 606 Article 122215
Добавлено: 28 июня 2023 г.
Reznik R., Ilkiv I., Kotlyar K. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2022 Vol. 16 No. 7 Article 2200056
Комбинации нитевыдных нанокристаллов (ННК) AIIIBV с квантовыми точками (КТ) являются многообещающими материалами для квантовых источников света. В настоящей работе впервые показаны результаты выращивания ННК AlGaAs с КТ InGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке. Определена оптимальная температура роста и исследованы физические свойства выращенных наноструктур. Показано, что выращенные наноструктуры проявляют сигнал фотолюминесценции (ФЛ) вплоть до комнатной температуры в широком ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Кондраченко Л. А., Рассадин А. Э., Чистяков А. С., Soviet Technical Physics Letters (English Translation of Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki) 2005 Vol. 31 No. 2 P. 101-102
Добавлено: 22 декабря 2022 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3-6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Малеев Н. А., Бобров М. А., Кузьменков А. Г. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 20 С. 51-54
птимальная форма вольт-фарадной характеристики является критическим параметром, определяющим эффективность умножения для гетеробарьерных варакторов (ГБВ) миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Численная модель для расчета вольт-фарадных характеристик и токов утечки ГБВ с произвольным профилем состава и легирования верифицирована на основе опубликованных и оригинальных экспериментальных данных. Спроектированная гетероструктура ГБВ с тремя нелегированными барьерами InAlAs/AlAs/InAlAs в окружении неоднородно легированных модулирующих ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.
Смирнов И. С., Сахарова И. Г., Астахов В. П. и др., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2001 № 1 С. 16-19
Изучено влияние протонного облучения и температуры последующего отжига на толщину, среднюю относительную деформацию кристаллической решетки, профили распределения удельного сопротивления вблизи поверхности тестовых кристаллов, а также на обратную ветвь вольт-амперной характеристики p-i-n-фотодиодов на основе высокоомного кремния. Обнаружено формирование компенсированного дефектного слоя в области пробега протонов непосредственно после облучения и после отжига при температурах до 200 С. ...
Добавлено: 22 марта 2013 г.
Vladimir M. Shevlyuga, Vorontsova Y., Tatiana V. Pavlova, Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 19 P. 8978-8983
Добавлено: 29 мая 2023 г.
М. : МАКС Пресс, 2020
В выпуске представлены тезисы докладов XIII Международной конференции «Кремний – 2020» и XII Школы молодых ученых по актуальным проблемам физики и технологии кремниевой электроники и нанометровых приборов, освещающие актуальные темы разработки процессов создания перспективной элементной базы и новых путей её использования. Кроме традиционных тем исследования процессов в объёме кремния, на поверхности и на границах раздела, ...
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 31-35
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Starikov S., Gordeev I., Lysogorskiy Y. и др., Computational Materials Science 2020 Vol. 184 Article 109891
Добавлено: 28 января 2022 г.
Сибирев Н. В., Бердников Ю. С., Федоров В. В. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 11 С. 969-972
Предложена модель для расчета состава самокаталитических нитевидных нанокристаллов, не содержащая подгоночных параметров. Показано, что состав нитевидных нанокристаллов Ga(As, P) не зависит от скорости роста при фиксированном отношении суммарных потоков атомов V и III групп. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментально наблюдаемой зависимостью состава нитевидных нанокристаллов от соотношения потоков атомов As и P ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Смирнов И. С., Монахов И. С., Егоров А. А. и др., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2013 № 1 С. 34-37
В настоящее время особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования – in-situ методы. Применение этих методов способствует получению пленок с заданными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса. В статье описываются возможности метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процессе их формирования.Приведены результаты экспериментов ...
Добавлено: 19 марта 2013 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Монахов И. С. и др., Russian Microelectronics 2014 Vol. 43 No. 8 P. 587-589
The monitoring methods for measuring the film structure parameters in formation process, namely, the in situ methods, are currently of special significance. Their application provides obtaining the films with the given characteristics, which results in a fast correction of the technological modes. The possibilities of the in situ method of the X-ray reflectometry for defining ...
Добавлено: 11 марта 2015 г.
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.
Вербус В. А., Байдакова Н. А., Морозова Е. Е. и др., Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51 № 12 С. 1599-1604
В работе для растворов КОН и HF : H2O2 : CH3COOH исследована селективность травления SiGe-структур в зависимости от их состава. Полученные результаты предложено использовать для создания на кремнии субмикронного рельефа поверхности за счет селективного травления структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). В предлагаемом подходе наноостровки Ge(Si) служат маской для селективного травления Si в водном растворе KOH ...
Добавлено: 15 февраля 2018 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153-157
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Омельченко А. В., Durnev M., Yakovlev E. V. и др., Applied Physics Letters 2010 Vol. 97 No. 5 P. 051904
Добавлено: 17 сентября 2018 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Добавлено: 19 февраля 2021 г.