• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры

Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 42-45.

Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия ради­ации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы определе­ния их параметров. Отмечены направления дальнейшего развития методов TCAD и SPICE моделирования компонен­тов п/п БИС.