• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов на мощные МОП транзисторы с учетом влияния емкости печатной платы

Выполнено компьютерное моделирование воздействия электростатических разрядов (ЭСР) на мощные МОП транзисторы серии IRF. Исследовано влияние емкости печатной платы на напряжение затвор – исток транзисторов. Показано, что чем меньше величина емкости затвор – исток транзистора, тем больше возрастает напряжение затвор -исток при увеличении емкости печатной платы. Установлена связь между напряжением разряда, при котором происходит пробой подзатворного оксида, и емкостью печатной платы.  Показано, что мощным МОП транзисторам, имеющим незначительные емкости затвор – исток, следует предусматривать схемотехническую защиту от ЭСР с использованием защитных TVS диодов.