?
Отсутствие отражения фонон-поляритона от края металлической маски на поверхности SiC
Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. Распределение электромагнитных полей над бегущими по поверхности поляритонными волнами можно визуализировать при помощи сканирующего микроскопа ближнего оптического поля, который обеспечивает пространственное разрешение 10-30 nm даже на длине волны 10.6 μm (CO2-лазер). В некоторых случаях отличного согласия рассчитанных карт распределения локальных значений амплитуды и фазы в возбуждаемой волне с наблюдаемой экспериментально картиной позволяет достичь численное интегрирование функции Грина, при котором каждая точка кристалла, не покрытая маской, рассматривается как источник расходящейся волны, с фазой, соответствующей фазе накачки в точке-источнике. Такой простой расчет был бы невозможен, если бы поверхностные волны, добежав до границы металлической маски, отражались от нее по законам геометрической оптики. Основной целью исследования было экспериментальное доказательство того факта, что поверхностные фонон-поляритонные волны, достигающие края металлической маски, напыленной на часть этой поверхности, не отражаются от этого края, а бесследно уходят под него, что в присутствии маски сложной формы обеспечит нам возможность использования интеграла от функции Грина по всем не покрытым маской участкам поверхности. Интерпретация полученных данных требует определенных пояснений по физике используемого прибора - безапертурного сканирующего микроскопа ближнего оптического поля (ASNOM), работающего в режиме упругого рассеяния света (sSNOM), что также приведено в работе. Ключевые слова: SiC, поверхностный фонон-поляритон, sSNOM, ASNOM.