Источник одиночных фотонов с использованием коллоидных квантовых точек CdSe/CdS/ZnS на волноводах из нитрида кремния

Касимов Р. Х.; Аржанов А. И.; Седых К. О.; Голиков А. Д.; Галанова В. С.; Гладуш Ю. Г.; В. В. Ковалюк; Наумов А. В.; Г. Н. Гольцман

doi:10.17586/1023-5086-2026-93-01-80-86

?

Источник одиночных фотонов с использованием коллоидных квантовых точек CdSe/CdS/ZnS на волноводах из нитрида кремния

Оптический журнал. 2026. Т. 93. № 1. С. 80–86.

Касимов Р. Х., Аржанов А. И., Седых К. О., Голиков А. Д., Галанова В. С., Гладуш Ю. Г., Ковалюк В. В., Наумов А. В., Гольцман Г. Н.

Предмет исследования. Использование метода капельного нанесения для изготовления ис-
точника одиночных фотонов. Цель работы. Разработка технологического процесса изготовления источника одиночных фотонов на коллоидных квантовых точках для использования их в фотон- ных интегральных схемах. Метод. На первом этапе в программе ANSYS Lumerical рассчитыва- ются период и фактор заполнения фокусирующих элементов связи на длинах волн 545 и 600 нм. На втором этапе используется язык программирования Python для изготовления дизайна чипа, на третьем — электронно-лучевая литография для изготовления чипа. На четвертом этапе ме- тодом капельного нанесения размещаются квантовые точки. Основные результаты. Разработан технологический процесс изготовления однофотонного источника. Определено положение кван- товых точек на фотонной интегральной схеме и измерены их спектральные характеристики. По- лученные данные будут использованы для улучшения точности размещения и повышения веро- ятности высадки одной квантовой точки в отверстие. Практическая значимость. Предложенный технологический процесс может быть полезен для создания однофотонных источников с исполь- зованием квантовых точек в фотонных интегральных схемах, что открывает возможности для различных приложений в области квантовых технологий.

Научное направление: Физика

Язык: русский

Полный текст

DOI

Ключевые слова: квантовые точки интегральная оптика однофотонный источник

Speed-up of Langmuir instability at large scales when the wave scattering is significant

Вергелес С. С., Воинцев И. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 P. 024117-1–024117-8

Добавлено: 26 сентября 2026 г.

Surface acoustic wave enabled all-optical determination of the interlayer elastic constants of a van der Waals interface

Frolov N. Y., Klokov A. Y., Sharkov A. I. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 P. 092201-1–092201-5

Добавлено: 26 сентября 2026 г.

InGaAsN/GaAs quantum-well-based microlasers improved by PECVD SiO2 passivation

Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875

Добавлено: 25 сентября 2026 г.

Микролазеры с распределенными брэгговскими отражателями Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As

Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277

Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...

Добавлено: 25 сентября 2026 г.

Одночастотная генерация лазеров на основе вертикального микрорезонатора при комнатной температуре

Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43

Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...

Добавлено: 25 сентября 2026 г.

Высокодобротные планарные микрорезонаторы, обеспечивающие генерацию при комнатной температуре

Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34

Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...

Добавлено: 25 сентября 2026 г.

Critical dynamics of conformational exchange in a nearcritical solvent: A statistical-mechanical three-mode theory

Будков Ю. А., Kiselev M. G., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 12 Article 124508

Добавлено: 24 сентября 2026 г.

Room temperature microlasers based on quasi-planar geometry

Крыжановская Н. В., Махов И. С., Драгунова А. С., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 19 No. 1.1 P. 98–104

Добавлено: 23 сентября 2026 г.

Plasma excitations in thin-film NbN probed by terahertz spectroscopy

Андреева С. А., Gavrilov A. A., Dzhikirba K. R. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 134515

Добавлено: 23 сентября 2026 г.

Thermo-optically tuned single-mode limaçon microlaser on quantum-dots

Образцова А. А., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2026 Vol. 59 No. 30 P. 305103

Добавлено: 23 сентября 2026 г.

Exact screening constraints for theories of inhomogeneous electrolytes: Generalized Stillinger–Lovett relations and a nonlinear Ward hierarchy

Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 12 Article 124105

Добавлено: 22 сентября 2026 г.

Особенности взаимодействия мощного импульсного лазерного излучения с материалами вакуумной камеры термоядерного реактора

Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Коршунов С. Н. и др., Перспективные материалы 2026 № 10 С. 37–54

Проведено сравнение, обобщение и систематизация механизмов эрозии и разрушения поверхности малоактивируемых материалов, перспективных для использования в качестве материалов вакуумной камеры термоядерных реакторов: ванадия, его сплава V – 10 Ti – 6 Cr – 0,05 Zr – 0,1 Si и вольфрама при последовательном воздействии на них ионных и тепловых потоков. Тепловые потоки имитировали с помощью мощного импульсного лазерного излучения (ЛИ), создаваемого ...

Добавлено: 22 сентября 2026 г.

DOUBLE-RESONANCE RESPONSE OF A SUPERCONDUCTING QUANTUM METAMATERIAL: MANIFESTATION OF NONCLASSICAL STATES OF PHOTONS

Iontsev M.A., Mukhin S. I., Fistul M. V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2016 Vol. 94 No. 17 P. 174–510

Добавлено: 22 сентября 2026 г.

Interaction-limited conductivity of twisted bilayer graphene revealed by giant terahertz photoresistance

Shilov A. L., Elesin L., Kravtsov M. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 Article 9734

Добавлено: 20 сентября 2026 г.

Robust CsPbBr3@SiO2 Nanocrystals with Controlled Shell Growth for Stable High-Resolution X‑ray Scintillation Imaging

Liang Y., Zhang X., Wang Q. и др., ACS Applied Nano Materials 2026 Vol. 9 No. 32 P. 15224–15232

Добавлено: 27 августа 2026 г.

Room-temperature, continuous wave lasing in planar microcavities with quantum dots

Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102

Добавлено: 8 июля 2026 г.

Quantum-dot surface-emitting lasers: micropillar cavities grown by molecular-beam epitaxy

Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208

Добавлено: 23 марта 2026 г.

Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора

Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 № 21 С. 58–62

Продемонстрирована генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора при температуре 244 K. Пороговая поглощенная оптическая мощность, длина волны генерации и добротность микролазера с диаметром 4 µm составили ∼ 2.8 mW, 989 nm и 12 000 соответственно. Минимальная пороговая поглощенная оптическая мощность (250 µW) соответствует температуре 168 K. ...

Добавлено: 13 марта 2026 г.

Advanced micropillar cavities: Room-temperature operation of microlasers

Babichev A., Blokhin A., Zadiranov Y. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 5 Article 051105

Добавлено: 13 марта 2026 г.

Исследование быстродействия электрооптического модулятора на кольцевом микрорезонаторе из тонкопленочного ниобата лития на изоляторе

Кобцев Д. М., Венедиктов И. О., Святодух С. С. и др., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S12-1 С. 82–89

В работе показан изготовленный интегральный электрооптический модулятор на основе кольцевого резонатора из тонкопленочного ниобата лития с нагруженной добротностью 2×104, глубиной модуляции 0,96 дБ/В и быстродействием 3,9 ГГц, перспективный для применений в области радиофотоники и квантовой оптики. ...

Добавлено: 1 декабря 2025 г.

Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре

Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35

Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...

Добавлено: 29 октября 2025 г.

Phosphorene junctions as a platform for spin-selective quantum dots in next-generation devices

Пеетерс Ф. М., Mahdavifar M., Khoeini F., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 Article 184301

Добавлено: 15 сентября 2025 г.

Analysis of factors determining the azimuthal and radial order of lasing mode in III–V quantum dot disk microlasers

Konstantin A. Ivanov, Alexey E. Zhukov, Eduard I. Moiseev и др., Journal of Applied Physics 2025 Vol. 138 No. 10 Article 103104

Добавлено: 11 сентября 2025 г.

Монолитная интеграция микродисковых лазеров на основе InGaAs/GaAs квантовых точек с просветляемыми оптическими волноводами

Фоминых Н. А., Федосов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 19 С. 11–14

Исследован направленный вывод излучения микродисковых лазеров через сопряженный оптический волновод, выполненный из той же гетероструктуры. Использовались диски диаметром 30 и 40 µm с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Для уменьшения потерь на поглощение в волноводе к нему прикладывалось прямое смещение. При величине тока в волноводе порядка 60 mA наблюдалось резкое (почти на порядок) ...

Добавлено: 27 августа 2025 г.