Источник одиночных фотонов с использованием коллоидных квантовых точек CdSe/CdS/ZnS на волноводах из нитрида кремния

Оптический журнал. 2026. Т. 93. № 1. С. 80–86.

Касимов Р. Х., Аржанов А. И., Седых К. О., Голиков А. Д., Галанова В. С., Гладуш Ю. Г., Ковалюк В. В., Наумов А. В., Гольцман Г. Н.

Предмет исследования. Использование метода капельного нанесения для изготовления ис-
точника одиночных фотонов. Цель работы. Разработка технологического процесса изготовления источника одиночных фотонов на коллоидных квантовых точках для использования их в фотон- ных интегральных схемах. Метод. На первом этапе в программе ANSYS Lumerical рассчитыва- ются период и фактор заполнения фокусирующих элементов связи на длинах волн 545 и 600 нм. На втором этапе используется язык программирования Python для изготовления дизайна чипа, на третьем — электронно-лучевая литография для изготовления чипа. На четвертом этапе ме- тодом капельного нанесения размещаются квантовые точки. Основные результаты. Разработан технологический процесс изготовления однофотонного источника. Определено положение кван- товых точек на фотонной интегральной схеме и измерены их спектральные характеристики. По- лученные данные будут использованы для улучшения точности размещения и повышения веро- ятности высадки одной квантовой точки в отверстие. Практическая значимость. Предложенный технологический процесс может быть полезен для создания однофотонных источников с исполь- зованием квантовых точек в фотонных интегральных схемах, что открывает возможности для различных приложений в области квантовых технологий.

Ключевые слова: квантовые точки, интегральная оптика, однофотонный источник