?
SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3
Physics of Complex System. 2026. Vol. 7. No. 1. P. 3–15.
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных мод CsPbBr3, выделенных с помощью гауссовой деконволюции, что подтверждает SERS-подобное поведение гибридных структур. Полученные результаты демонстрируют перспективность ZnO/CsPbBr3-гетероструктур для сен-сорики и оптоэлектронных приложений.
Язык:
английский
Shilov A. L., Elesin L., Kravtsov M. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 Article 9734
Добавлено: 20 сентября 2026 г.
sobov P., Yakushev I., Shestakov A. и др., Organometallics 2025 Vol. 44 No. 24 P. 2873–2881
Добавлено: 20 сентября 2026 г.
Копьев А., JETP Letters 2026 Vol. 123 No. 5 P. 310–316
Добавлено: 18 сентября 2026 г.
С помощью молекулярно-динамического моделирования были изучены структурные свойства нематических жидких кристаллов (ЖК) на основе пентилцианобифенила (5CB) и пентилоксицианобифенила (5OCB), легированных наночастицами золота (НЧЗ) разного количества, формы и размера. В жидкие кристаллы на основе цианобифенила 5CB и 5OCB были добавлены сферические НЧЗ двух разных радиусов и стержнеобразные НЧЗ. Для описания структурных свойств цианобифениловых нематических жидких кристаллов, ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Cherkashina N. I., Pavlenko V. I., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1247–1257
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Поддьяков А. Н., / Series Social Science Research Network "Social Science Research Network". 2026. No. 7437658.
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Kolin N., Nazarov D., Krivenko K. и др., Dyes and Pigments 2026 Vol. 254 Article 113957
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Mikhailenko M., Astakhova T., Timokhina E. N. и др., Inorganic Chemistry Frontiers 2026 Vol. 13 No. 14 P. 6145–6156
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Nazarov D., Yakushev I. A., Кузьмин А. В. и др., Inorganic Chemistry Frontiers 2026 Vol. 13 No. 11 P. 5039–5050
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Жакетов В. Д., Девятериков Д. И., Авдеев М. М. и др., Физика твердого тела 2023 Т. 65 № 7 С. 1123–1128
Рассмотрены эффекты близости в структурах с гелимагнитным упорядочением. Методом магнетронного
напыления изготовлены структуры с резкими границами. С помощью рефлектометрии поляризованных
нейтронов получены результаты, указывающие на изменение магнитного состояния гелимагнетика под
влиянием сверхпроводимости. Предложен новый тип структур с чередующимися слоями сверхпроводника и
редкоземельного гелимагнетика для исследования магнитных эффектов близости. Результаты исследований
с помощью рентгеновских методов и атомно-силовой микроскопии демонстрирует высокое качество
полученных ...
Добавлено: 9 декабря 2023 г.
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
Sinner A., Лозовик Ю. Е., Ziegler K., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 24 Article 245124
Добавлено: 2 января 2022 г.
Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Комков О. С. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 № 6 С. 381–386
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) выращены метаморфные квантово-размерные гетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs с тонкими (1–5 нм) сильнонапряженными вставками GaAs и InAs в градиентном метаморфном буферном слое InxAl1−xAs. Показано, что использование вставки GaAs толщиной 5 нм в области метаморфного буферного слоя при x∼0.37 приводит к почти двукратному возрастанию интенсивности фотолюминесценции при 300 К (λ∼3.5мкм) из квантовой ямы InAs/InGaAs, содержащей монослойную вставку InSb. ...
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Kulik L. V., Gorbunov A. V., Zhuravlev A. S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 20 февраля 2019 г.