?
SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3
Physics of Complex System. 2026. Vol. 7. No. 1. P. 3–15.
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных мод CsPbBr3, выделенных с помощью гауссовой деконволюции, что подтверждает SERS-подобное поведение гибридных структур. Полученные результаты демонстрируют перспективность ZnO/CsPbBr3-гетероструктур для сен-сорики и оптоэлектронных приложений.
Язык:
английский
Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Смерчанский П. С., Koledov V. V., Kamantsev A. P. и др., Physics of Metals and Metallography 2026 Vol. 127 No. 6-7 P. 689–693
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 214502
We propose a microscopic scheme that allows to describe ac Josephson effect in superconducting junctions
in terms of dissipative quantum dynamics of subgap Andreev bound states. This approach is particularly useful
for highly transparent junctions at subgap bias voltages in which case a nontrivial combination of Landau-Zener
tunneling between Andreev levels and their instability due to quasiparticle escape ...
Добавлено: 18 октября 2026 г.
Заикин А. Д., Kalenkov M. S., Physical Review Letters 2026 Vol. 137 Article 076004
With the aid of a microscopic theory we derive an effective Hamiltonian that controls quantum dynamics
of Andreev states in superconducting nanojunctions out of equilibrium. Resolving the corresponding
Schrödinger-like equation we obtain the “wave functions” for Andreev levels and evaluate electric current
across the junction in the presence of an external voltage bias.We demonstrate that quantum interference of
Andreev ...
Добавлено: 18 октября 2026 г.
Рассмотрены механизмы структурно-фазовой перестройки и физико-химические
процессы при формировании износостойких и коррозионно-пассивных покрытий на
чугуне ВЧ40 комбинированной технологией, сочетающей ультразвуковое пластическое
деформирование и электроискровое легирование (ЭИЛ). Образцы модифицировали
ультразвуковым индентором (УЗИ) в среде микрочастиц SiO2 (5 мкм) под давлением
400 МПа с последующим ЭИЛ графитовым и твердосплавным (ВК8) электродом. Структуру,
состав и микротвердость изучали методами сканирующий электронный микроскопии
совмещенной с энергодисперсионной рентгеновской ...
Добавлено: 16 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Тукачев Н. В., Nuraliev M., Parashchuk O. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 17 Article 174303
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Жакетов В. Д., Девятериков Д. И., Авдеев М. М. и др., Физика твердого тела 2023 Т. 65 № 7 С. 1123–1128
Рассмотрены эффекты близости в структурах с гелимагнитным упорядочением. Методом магнетронного
напыления изготовлены структуры с резкими границами. С помощью рефлектометрии поляризованных
нейтронов получены результаты, указывающие на изменение магнитного состояния гелимагнетика под
влиянием сверхпроводимости. Предложен новый тип структур с чередующимися слоями сверхпроводника и
редкоземельного гелимагнетика для исследования магнитных эффектов близости. Результаты исследований
с помощью рентгеновских методов и атомно-силовой микроскопии демонстрирует высокое качество
полученных ...
Добавлено: 9 декабря 2023 г.
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
Sinner A., Лозовик Ю. Е., Ziegler K., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 24 Article 245124
Добавлено: 2 января 2022 г.
Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Комков О. С. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 № 6 С. 381–386
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) выращены метаморфные квантово-размерные гетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs с тонкими (1–5 нм) сильнонапряженными вставками GaAs и InAs в градиентном метаморфном буферном слое InxAl1−xAs. Показано, что использование вставки GaAs толщиной 5 нм в области метаморфного буферного слоя при x∼0.37 приводит к почти двукратному возрастанию интенсивности фотолюминесценции при 300 К (λ∼3.5мкм) из квантовой ямы InAs/InGaAs, содержащей монослойную вставку InSb. ...
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Kulik L. V., Gorbunov A. V., Zhuravlev A. S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 20 февраля 2019 г.
Zhuravlev A. S., Kulik L.V., Kuznetsov V. A. и др., JETP Letters 2018 Vol. 108 No. 6 P. 419–422
Экспериментально исследованы особенности спиновой поляризации электронной системы и релаксации неравновесных спиновых возбуждений в окрестности дробного состояния с четным знаменателем 3/2 в двумерной электронной системе на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Показано, что состояние 3/2 является особой точкой в зависимости спинового упорядочения двумерной электронной системы от фактора заполнения, на которой спиновая подсистема перестраивается. Обнаружена область факторов заполнения в ...
Добавлено: 30 ноября 2018 г.
Н. Новгород: ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017.
Сборник трудов содержит материалы, посвященные результатам деятельности ведущих предприятий микроэлектронной промышленности, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность радиоэлектронной аппаратуры. ...
Добавлено: 20 ноября 2018 г.
Kuznetsov V. A., Kulik L. V., Velikanov M. D. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 98 No. 20 P. 205303-1–205303-9
Добавлено: 20 ноября 2018 г.