?
SERS effect on the surface of ZnO nanorods coated with CsPbBr3
Physics of Complex System. 2026. Vol. 7. No. 1. P. 3–15.
Гетероструктуры на основе наностержней ZnO и наночастиц CsPbBr3 были ис-следованы с целью оценки их потенциала в качестве полупроводниковых SERS-субстратов. Было выявлено, что морфология ZnO определяет эффективность межфазного переноса энергии, уве-личивая фотолюминесценцию при длине возбуждения 390 нм и вызывая снижение ширины за-прещенной зоны в композитах. Анализ спектров комбинационного рассеяния выявил значитель-ное усиление интенсивности и появление низкочастотных мод CsPbBr3, выделенных с помощью гауссовой деконволюции, что подтверждает SERS-подобное поведение гибридных структур. Полученные результаты демонстрируют перспективность ZnO/CsPbBr3-гетероструктур для сен-сорики и оптоэлектронных приложений.
Язык:
английский
Пономарев А. А., Александров Н. Л., Journal of Physics D: Applied Physics 2026 Vol. 59 Article 315205
Добавлено: 6 августа 2026 г.
G. G. Bondarenko, Kristya V. I., Savichkin D. O. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2026 Vol. 20 No. 2 P. 417–423
Добавлено: 1 августа 2026 г.
Касимов Р. Х., Аржанов А. И., Седых К. О. и др., Оптический журнал 2026 Т. 93 № 1 С. 80–86
Предмет исследования. Использование метода капельного нанесения для изготовления источника одиночных фотонов. Цель работы. Разработка технологического процесса изготовления источника одиночных фотонов на коллоидных квантовых точках для использования их в фотон- ных интегральных схемах. Метод. На первом этапе в программе ANSYS Lumerical рассчитыва- ются период и фактор заполнения фокусирующих элементов связи на длинах волн 545 и 600 ...
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Nevzorov A., Golikov A., Gneushev D. и др., JETP Letters 2026 Vol. 147–151 No. 3 P. 147–151
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Dual-mode infrared detection via photovoltaic and barrier pyroelectric effects in PbTe p–n junctions
Jarashneli A., Кобцев Д. М., Upcher A. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 140 No. 2 Article 024501
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Nikolaev G. A., Orlov O. V., Андреева С. А. и др., Physical Review Applied 2026 Vol. 26 Article 014099
Добавлено: 31 июля 2026 г.
S. A. Andreeva, Orlov O. V., A. V. Shchepetilnikov и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 6 Article 065420
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Добавлено: 30 июля 2026 г.
Metlov K., Andrei B. Bogatyrëv, Annalen der Physik 2026 Vol. 538 No. 6 Article e70234
Добавлено: 28 июля 2026 г.
Dmitry Vasilyev, Gorev V., Ихсанов Р. Ш. и др., Journal of Materials Science 2026 No. 61 P. 25452–25470
Добавлено: 23 июля 2026 г.
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Korogod D., Shapeev A., Ivan S. Novikov, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 2 Article 024104
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Sozykin K., Rybin N., Chertkov A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 No. 22 Article 224111
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Парфеньев В. М., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 114 No. 1 Article 015104
Добавлено: 17 июля 2026 г.
Прокофьев В. В., Забродин А. В., Proceedings of the Steklov Institute of Mathematics 2020 Vol. 309 P. 225–239
Добавлено: 14 июля 2026 г.
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Жакетов В. Д., Девятериков Д. И., Авдеев М. М. и др., Физика твердого тела 2023 Т. 65 № 7 С. 1123–1128
Рассмотрены эффекты близости в структурах с гелимагнитным упорядочением. Методом магнетронного
напыления изготовлены структуры с резкими границами. С помощью рефлектометрии поляризованных
нейтронов получены результаты, указывающие на изменение магнитного состояния гелимагнетика под
влиянием сверхпроводимости. Предложен новый тип структур с чередующимися слоями сверхпроводника и
редкоземельного гелимагнетика для исследования магнитных эффектов близости. Результаты исследований
с помощью рентгеновских методов и атомно-силовой микроскопии демонстрирует высокое качество
полученных ...
Добавлено: 9 декабря 2023 г.
Ячменев А. Э., Лаврухин Д. В., Хабибуллин Р. А. и др., Оптика и спектроскопия 2021 Т. 129 № 6 С. 741–746
Экспериментальное сравнение характеристик фотопроводящих антенн - детекторов терагерцевого (ТГц) излучения на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAs/InAlAs с различными типами упругих напряжений в слоях. ...
Добавлено: 10 ноября 2022 г.
Sinner A., Лозовик Ю. Е., Ziegler K., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 24 Article 245124
Добавлено: 2 января 2022 г.
Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Комков О. С. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 № 6 С. 381–386
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001) выращены метаморфные квантово-размерные гетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs с тонкими (1–5 нм) сильнонапряженными вставками GaAs и InAs в градиентном метаморфном буферном слое InxAl1−xAs. Показано, что использование вставки GaAs толщиной 5 нм в области метаморфного буферного слоя при x∼0.37 приводит к почти двукратному возрастанию интенсивности фотолюминесценции при 300 К (λ∼3.5мкм) из квантовой ямы InAs/InGaAs, содержащей монослойную вставку InSb. ...
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Kulik L. V., Gorbunov A. V., Zhuravlev A. S. и др., Applied Physics Letters 2019 Vol. 114 No. 6 P. 1–5
Добавлено: 20 февраля 2019 г.