О влиянии подсветки на электрофизические параметры контактов к образцам CdTe

А. П. Лысенко; В. А. Голубятников; Ф. И. Григорьев; Н. И. Строганкова; М. Б. Шадов; Белов А. Г.

?

О влиянии подсветки на электрофизические параметры контактов к образцам CdTe

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 18–21.

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Шадов М. Б., Белов А. Г.

Исследованы вольтамперные характеристики и проведены измерения электрофизических параметров образцов теллурида кадмия в условиях регулируемой подсветки приконтактных областей. Установлено, что освещение областей вблизи контактов приводит к заметному (на два-три порядка) уменьшению сопротивления образца-двухполюсника. Показано, что подсветка приконтактных областей образца позволяет определить значения удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла, что невозможно было сделать в отсутствие подсветки. Обнаружено, что при подсветке приконтактных областей фото-ЭДС в большинстве случаев отсутствует

Приоритетные направления: инженерные науки

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: cadmium telluride near-contact region illumination electric resistivity Hall coefficient voltage-current characteristics приконтактной области освещения теллурид кадмия электрическое сопротивление коэффициент Холла вольт амперная характеристика

Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties

Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices

Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning

Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.

Добавлено: 21 ноября 2025 г.

Modulation of charge transport and rectification behavior in CsSnI3 thin films through A-site cation engineering

Zarudnyaya A., Segal G., Morozov A. и др., Applied Physics Letters 2025 Vol. 126 No. 26 Article 262106

Перовскит CsSnI3 представляет собой тонкопленочный полупроводник с высокой собственной проводимостью для различных применений в устройствах (термоэлектрических, фотовольтаических и т. д.). Стехиометрический CsSnI3 имеет высокую плотность дефектов и структурные несовершенства, влияющие на производительность устройств. В работе мы провели исследование катионной инженерии в A-позиции, чтобы оценить корреляцию между структурными и транспортными параметрами для эффективной работы в диодных устройствах. ...

Добавлено: 1 октября 2025 г.

Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates

Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.

Добавлено: 27 ноября 2024 г.

Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods

Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.

...

Добавлено: 21 октября 2024 г.

Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm

Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.

Добавлено: 20 мая 2024 г.

Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge

Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.

Добавлено: 10 апреля 2024 г.

High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)

Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.

Добавлено: 29 января 2024 г.

Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics

Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.

Добавлено: 15 сентября 2023 г.

Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer

Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.

Добавлено: 16 ноября 2022 г.

Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function

Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.

Добавлено: 1 ноября 2022 г.

Electron-electron scattering and conductivity of disordered systems with a Galilean-invariant spectrum

Нагаев К. Э., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 8 Article 085411

Добавлено: 18 октября 2022 г.

Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations

Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.

Добавлено: 4 февраля 2022 г.

Theory of Ionic Liquids with Polarizable Ions on a Charged Electrode

Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Synthesis, structure, and PDE inhibiting activity of the anionic DNIC with 5-(3-pyridyl)-4H-1,2,4-triazole-3-thiolyl, the nitric oxide donor.

Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров

Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 2 С. 195–200

Представлены аналитические выражения и с их помощью выполнен анализ компонент электрического сопротивления инжекционных микродисковых лазеров в зависимости от размера микродискового резонатора, параметров подложки и геометрии расположения контакта к ней ...

Добавлено: 11 марта 2021 г.

Температурная зависимость электросопротивления электронно-допированных купратов

К.И. Кугель, Бабушкина Н. А., Владимиров А. А. и др., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 158 № 4 С. 714–727

Проанализированы экспериментальные данные по температурной зависимости электросопротивления электронно-допированных купратов Nd2−xCexCuO4−δ в широком интервале значений концентрации церия 0.12 ≤ x ≤ 0.20. Показано, что в широкой области температур выше температуры сверхпроводящего перехода в основном наблюдается квадратичная зависимость электросопротивления от температуры, величина которого резко уменьшается при концентрациях x ≥ 0.17. Теоретический анализ на основе микроскопической теории в ...

Добавлено: 6 декабря 2020 г.

Method of separate determination of high-ohmic sample resistance and contact resistance

Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Лысенко А. П. и др., Modern Electronic Materials 2015 Vol. 1 No. 3 P. 93–96

A method of separate determination of two-pole sample volume resistance and contact resistance is suggested. The method is applicable to high-ohmic semiconductor samples: semi-insulating gallium arsenide, detector cadmium-zinc telluride (CZT), etc. The method is based on near-contact region illumination by monochromatic radiation of variable intensity from light emitting diodes with quantum energies exceeding the band ...

Добавлено: 11 мая 2016 г.

Method of Investigation of Galvanomagnetic Properties of CdxHg1 − xTe and CdxHg1 − xTe/Cd1 − yZnyTe

Лысенко А. П., Белов А. Г., Голлубятников В. А. и др., Semiconductors 2016 Vol. 50 No. 13 P. 1716–1719

Добавлено: 25 февраля 2016 г.

Метод исследования гальваномагнитных свойств CdхHg 1-хTe и CdхHg 1-хTe/Cd1-уZnуTe

Голубятников В. А., Лысенко А. П., Белов А. Г. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 576–581

На монокристаллических объёмных образцах CdхHg1-хTe (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах CdхHg1-хTe/Cd1-уZnуTe (КРТ/КЦТ) (х  0,2), проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при Т = 295К и Т =77К. Образец вместе с криостатом поворачивался в поле электромагнита на угол от 0 до 360 градусов с шагом 6 градусов. Показано, что для объёмного образца КРТ p-типа электропроводности при ...

Добавлено: 14 мая 2015 г.

Modification of the Van der Pau Method for Measuring Electrophysical Parameters of HighResistance Semiconductors

Лысенко А. П., Golubiatnikov V. A., Григорьев Ф. И. и др., Instruments and Experimental Techniques 2014 Vol. 57 No. 5 P. 622–626

It is shown that the Van der Pau method can be used under illumination of the sample nearcon tact region with monochromatic radiation of variable intensity with a quantum energy that exceeds the inves tigatedmaterial band gap. A modified Van der Pau technique for measuring such highresistance semicon ductor parameters as the electrical resistivity and ...

Добавлено: 10 сентября 2014 г.

Модификация метода Ван-дер-Пау для измерения электрофизических параметров высокоомных полупроводников

Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 5 С. 115–119

Показано, что применение метода Ван-дер-Пау становится возможным при освещении приконтактных областей образца монохроматическим излучением изменяемой интенсивности с энергией квантов, большей ширины запрещённой зоны исследуемого материала. На основе модернизированного метода Ван-дер-Пау предложена методика определения таких параметров высокоомных полупроводников, как удельное электрическое сопротивление, концентрация свободных носителей заряда и их подвижность. Эта методика отработана на примере полуизолирующего арсенида ...

Добавлено: 22 июня 2014 г.