• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
3 ноября 2026 г.
«Органы на чипе позволяют проверять лекарства без экспериментов на животных»
Лаборатория молекулярной физиологии факультета биологии и биотехнологии НИУ ВШЭ изучает, как молекулярные регуляторы (микроРНК) управляют работой генов и влияют на развитие болезней — онкологических, вирусных и воспалительных, а также осложнений беременности. В Вышке выращивают модели органов человека на чипе: крошечные устройства с живыми клетками, воспроизводящие работу, например, плаценты или кишечника. Модели помогают понять, как возникают болезни и как на них действуют лекарства. «Вышка.Главное» побеседовала с заведующим лабораторией Евгением Князевым.
3 ноября 2026 г.
В НИУ ВШЭ выяснили, почему опытные читатели ошибаются в нестандартных фразах
Ученые Центра языка и мозга  НИУ ВШЭ проверили, как люди понимают предложения, когда грамматика подсказывает одно, а жизненный опыт — другое.  Участники эксперимента читали фразы о двух персонажах и отвечали, кто из них выполнил действие. Результаты показали, что более начитанные люди лучше справлялись с заданиями, в которых персонаж выполнял ожидаемое действие, но ошибались, когда действие персонажа шло вразрез с ожиданиями.Исследование опубликовано в журнале Quarterly Journal of Experimental Psychology. Работа выполнена при поддержке гранта РНФ.
30 октября 2026 г.
«Объект наших исследований - суперкомпьютер»
Феликс Смирнов занимается суперкомпьютерными технологиями, чтобы помогать другим ученым в их работе. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» он рассказал о настройке коммуникаций между узлами, своем увлечении кинематографом и о старых вывесках на Хитровке.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors

St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2024. Vol. 17. No. 3.1. P. 233–237.
Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov, N. V. Kryzhanovskaya, Blokhin S. A., Nevedomsky V. N., Gladyshev A. G., Karachinsky L. Y., Novikov I. I., Egorov A. Y.
Научное направление: Физика Нанотехнологии
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: InGaAsmolecular-beam epitaxyмолекулярно-пучковая эпитаксияgallium arsenideInGaAsарсенид галлияplanar microcavityStransky-Krastanow growth modeпланарный вертикальный микрорезонатормеханизм Странски-Крастанова
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Создание и исследование полупроводниковых микро- и нанолазеров для схем интегральной фотоники (2024)
Похожие публикации
Modelling optimal implementation of an arbitrary N-qubit quantum gate within the generalized Bloch vectors formalism
Elena R. Loubenets, Sergey Kuznetsov, Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 358
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Gerstner gravity-capillary waves and their collapse mode
Абрашкин А. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 No. 8 Article 083624
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Vague Stimulating Ideas, Images and Metaphors in Scientific Thinking: Researchers’ Work with Horizons of Unclear Knowledge
Поддьяков А. Н., Integrative Psychological and Behavioral Science 2026 Vol. 60 No. 4 P. 1–50
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Microdisk lasers with a bridge contact pad formed by wet chemical etching
Obraztsova A. A., Voitovich V. I., Derkach N. N. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 24–28
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Injection edge-emitting microlasers with InGaAs/GaAs quantum dot active region
Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Excitation-dependent photoluminescence and room-temperature whispering gallery mode lasing in InGaN/GaN microdisks on sapphire
Komarov S. D., Masyutin D. A., Moiseev E. I. и др., Journal of Luminescence 2027 Vol. 301 Article 122266
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Algorithmic overlaps in the Baxter–Wu model: cluster dynamics under Novotny–Evertz updates
Пиле Я. Э., Щур Л. Н., Nuclear Physics B 2026 No. 0550-3213 Article 117706
Добавлено: 1 ноября 2026 г.
Molecular dynamics and machine learning insights into oil-brine interfacial tension: Uncovering roles of dissolved gases and salinity
Nikitiuk B., Lenev D., Писарев В. В. и др., Journal of Colloid and Interface Science 2026 Vol. 718 Article 140444
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Predicting multi-component oil viscosity using machine learning methods
Deshchenya V., Nikolay D. Kondratyuk, Sivakova A. и др., Chemical Engineering Sciences 2027 Vol. 337 Article 124616
Добавлено: 28 октября 2026 г.
PARSE: Physical attribute representativity and stationarity evaluator open-source library for 3D images using scalar and vector metrics
Zubov A., Zubov A., Малявко, Я. и др., Computer Physics Communications 2025 Vol. 317 Article 109860
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Low-energy collective excitations in a gold monolayer, Vyacheslav Silkin and Maxim Kagan Working papers by Cornell University Series cond-mat other “arxiv org” 2610. 31805 22 Oct. 2026
Каган М. Ю., / Series Series "arxiv org" 2610.31805 "cond-mat other "arxiv org" 2610.31805". 2026. No. 2610.31805.
Аннотация   Низкоэнергетические плазмонные свойства свободностоящего монослоя золота Au (1,1,1) изучены с помощью зависящей от времени теории функционала плотности (DFT) в приближении хаотических фаз (ПХФ). При первопринципном вычислении диэлектрической функции и функции диэлектрических потерь используется зонная структура, характеризуемая одной s-p энергетической зоной, выходящей на уровень Ферми. В этой системе с простой зонной структурой наши вычисления ...
Добавлено: 27 октября 2026 г.
From frozen Coulomb decoherence to thermalization: Classical and quantum density-matrix routes to Balescu–Lenard and Landau kinetics
Будков Ю. А., Annals of Physics 2026 Vol. 495 No. 3 Article 170796
Добавлено: 26 октября 2026 г.
On non-Abelian waves repeatedly changing sign at constant phases
Alexander S. Rabinowitch, International Journal of Modern Physics A 2026 Vol. 41 No. 30 Article 2650168
Добавлено: 26 октября 2026 г.
Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator
D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 23 октября 2026 г.
Stress tensor in fundamental measure theory of hard-sphere fluids: A thermomechanical approach
Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16 Article 164108
Добавлено: 22 октября 2026 г.
Отсутствие отражения фонон-поляритона от края металлической маски на поверхности SiC
Ивченко В. С., Иевлева В. А., Матиенко Д. А. и др., Журнал технической физики 2026 № 9 С. 1738–1749
Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...
Добавлено: 20 октября 2026 г.
Исследование движения сферического фронта клеток в вязком матриксе: роль клеточных делений и взаимодействия клеток с матриксом при развитии опухолей
Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75
Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате, состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...
Добавлено: 20 октября 2026 г.
Room temperature microlasers based on quasi-planar geometry
Babichev A. V., Kovach Y. N., Драгунова А. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 19 No. 1.1 P. 98–104
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Спин-зависимое фотопоглощение в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn
Хомицкий Д. В., Дорохин М. В., Ведь М. В. и др., Физика твердого тела 2026 Т. 68 № 8 С. 1325–1332
Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Room-temperature, continuous wave lasing in planar microcavities with quantum dots
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces
Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate
Balakirev S. V., Махов И. С., Kirichenko D. V. и др., Optical Materials 2025 Vol. 163 Article 116964
We reveal a strong dependence of optical properties of InAs quantum dots (QDs) on the As/Ga flux ratio used during the overgrowth with a low-temperature GaAs layer. Evaluating various characteristics of the photoluminescence spectra, we determine an optimal As/Ga flux ratio which allows formation of QDs emitting at the longest wavelengths, with the highest intensity and the largest ...
Добавлено: 17 апреля 2025 г.
Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs
Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 1002–1010
Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии ...
Добавлено: 1 ноября 2024 г.
Исследование структурных и оптических свойств InGaAs-квантовых точек
Бабичев А. В., Надточий А. М., Блохин С. А. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 318–325
Проведена отработка режимов формирования квантовых точек InxGa1−xAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что снижение содержания индия в структурах с InGaAs-квантовыми точками приводит к уменьшению длины волны излучения основного состояния и насыщению зависимости. Использование квантовых точек, сформированных из слоя In0.5Ga0.5As, позволяет реализовать фотолюминесценцию при температуре 13 K с максимумом вблизи 995 нм и характерной полушириной пика ФЛ ...
Добавлено: 23 октября 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору