Frequency response and carrier escape time of InGaAs quantum well-dots photodiode

A. Zhukov; S. Blokhin; Maleev N. A.; N. Kryzhanovskaya; E. Moiseev; A. Nadtochiy; Mintairov S. A.; Kalyuzhnyy N. A.; Zubov F.; Maximov M.

doi:10.1364/OE.441693

?

Frequency response and carrier escape time of InGaAs quantum well-dots photodiode

Optics Express. 2021. Vol. 29. No. 25. P. 40677–40686.

Жуков А. Е., Блохин С. А., Maleev N. A., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Zubov F., Maximov M.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: быстродействие квантовые точки p-i-n-фотодиоды Semiconductor quantum dots photodiode high speed performance

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Исследование температурных и временных характеристик гетероструктур с квантовыми точками и микроизлучателей на их основе (2021)

VACUUM DISCHARGE DRIVEN BY STRIPE LINE STORAGE AS A SOURCE OF EUV RADIATION

Antsiferov P.S., Stepanov L.V., Matiukhin N. D., Review of Scientific Instruments 2025 Vol. 96 No. 12 Article 123506

Добавлено: 20 мая 2026 г.

Регистрация спектров на 6.65 метровом ВУФ-УФ спектрометре с помощью многоканального детектора

Анциферов П. С., Степанов Л. В., Матюхин Н. Д., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 2 С. 214–218

Сообщено о разработке системы регистрации спектров на ПЗС-линейке для уникального ВУФ спектрометра, построенного на основе сферической дифракционной решетки с радиусом 6.65 m. Была использована линейка HAMAMATSU S11156-2048-02, которая устанавливалась по касательной к окружности Роуланда с возможностью механического перемещения для сканирования спектра. Были получены спектрограммы в диапазоне длин волн 2130-2270 Angstrem. Описана методика сшивки регистрируемых спектральных ...

Добавлено: 20 мая 2026 г.

ML-based Fast Simulation of FARICH Responses

Шипилов Ф. А., Barnyakov A., Ivanov A. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2026.

Добавлено: 19 мая 2026 г.

On a Possible Method for Separating CO Lines from the Spectrum of the Cosmic Microwave Background

Malinovsky A. M., Пилипенко С. В., Mikhalchenko A. O. и др., Astronomy Reports 2026 Vol. 70 P. 1–6

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Broadband photoluminescence of epitaxial bismuth nanowires and planar nanostructures

Kaveev A. K., Fedorov V. V., Pavlov A. V. и др., Journal of Materials Chemistry C 2026 Vol. 14 No. 7 P. 2697–2705

Добавлено: 19 мая 2026 г.

STM study of single phosphorus incorporation into silicon by heating PBr3 on Si(100)

Павлова Т. В., V.M. Shevlyuga (Шевлюга В. М., Applied Surface Science 2026 Vol. 736 P. 166813–166813

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Single-photon diamond sources created by nature

Pasternak D., Romshin A., Khmelnitsky Р. и др., Carbon 2026 Vol. 256 Article 121655

Добавлено: 19 мая 2026 г.

Optical features of nanoplatelets modified with chiral ligands

Смирнов А. М., Kurtina D. A., Saitov S. R. и др., Optical Materials: X 2026 Vol. 30 Article 100441

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Temperature-driven charge transport in annealed CdSe/CdS nanoplatelets film

Смирнов А. М., Mantsevich V. N., Saitov S. R. и др., Journal of Applied Physics 2026 Vol. 139 Article 185702

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией

Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30

Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...

Добавлено: 18 мая 2026 г.

Plasmonic Au-Assisted g-C3N4/CeO2 Heterojunction for Enhanced Photocatalytic Breakdown of Organic Pollutants

The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 18 P. 5386–5394

Добавлено: 16 мая 2026 г.

The origin of enhanced photocatalytic performance in titanium dioxide via niobium doping: From experimental assessments to DFT insights

Дас А., Paul R., Sharma N. и др., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2026 Vol. 728 P. 138830

Добавлено: 16 мая 2026 г.

Perturbation theory for phase correlations of a light wave propagating in a turbulent medium

Колоколов И. В., Лебедев В. В., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 Article 054117

Добавлено: 15 мая 2026 г.

Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties

Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

CsPbBr3 and Cs4PbBr6 perovskite nanoparticles: hidden potential of Cs4PbBr6 or ineffective fluorescence?

Гущина В. А., Mendeleev Communications 2025 Vol. 35 No. 2 P. 193–195

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным оптическим свойствам, хотя синтез однофазных наночастиц представляет собой сложную задачу. В данной работе подробно описан метод синтеза однофазных наночастиц CsPbBr3 и Cs4PbBr6, а также их химический и фазовый анализ. В рамках современной концепции зонной структуры перовскитов выявлены и объяснены характерные оптические свойства, такие ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

Quantum-dot surface-emitting lasers: micropillar cavities grown by molecular-beam epitaxy

Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208

Добавлено: 23 марта 2026 г.

Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора

Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 № 21 С. 58–62

Продемонстрирована генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора при температуре 244 K. Пороговая поглощенная оптическая мощность, длина волны генерации и добротность микролазера с диаметром 4 µm составили ∼ 2.8 mW, 989 nm и 12 000 соответственно. Минимальная пороговая поглощенная оптическая мощность (250 µW) соответствует температуре 168 K. ...

Добавлено: 13 марта 2026 г.

Advanced micropillar cavities: Room-temperature operation of microlasers

Babichev A., Blokhin A., Zadiranov Y. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 5 Article 051105

Добавлено: 13 марта 2026 г.

Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре

Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35

Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...

Добавлено: 29 октября 2025 г.

Modulation of charge transport and rectification behavior in CsSnI3 thin films through A-site cation engineering

Zarudnyaya A., Segal G., Morozov A. и др., Applied Physics Letters 2025 Vol. 126 No. 26 Article 262106

Перовскит CsSnI3 представляет собой тонкопленочный полупроводник с высокой собственной проводимостью для различных применений в устройствах (термоэлектрических, фотовольтаических и т. д.). Стехиометрический CsSnI3 имеет высокую плотность дефектов и структурные несовершенства, влияющие на производительность устройств. В работе мы провели исследование катионной инженерии в A-позиции, чтобы оценить корреляцию между структурными и транспортными параметрами для эффективной работы в диодных устройствах. ...

Добавлено: 1 октября 2025 г.

Phosphorene junctions as a platform for spin-selective quantum dots in next-generation devices

Пеетерс Ф. М., Mahdavifar M., Khoeini F., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 Article 184301

Добавлено: 15 сентября 2025 г.

Analysis of factors determining the azimuthal and radial order of lasing mode in III–V quantum dot disk microlasers

Konstantin A. Ivanov, Alexey E. Zhukov, Eduard I. Moiseev и др., Journal of Applied Physics 2025 Vol. 138 No. 10 Article 103104

Добавлено: 11 сентября 2025 г.

Монолитная интеграция микродисковых лазеров на основе InGaAs/GaAs квантовых точек с просветляемыми оптическими волноводами

Фоминых Н. А., Федосов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 19 С. 11–14

Исследован направленный вывод излучения микродисковых лазеров через сопряженный оптический волновод, выполненный из той же гетероструктуры. Использовались диски диаметром 30 и 40 µm с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Для уменьшения потерь на поглощение в волноводе к нему прикладывалось прямое смещение. При величине тока в волноводе порядка 60 mA наблюдалось резкое (почти на порядок) ...

Добавлено: 27 августа 2025 г.

Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора

Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 5 С. 41–44

Представлены результаты исследования расщепления мод шепчущей галереи в лазерах спектрального диапазона 930-950 nm на основе вертикального микрорезонатора. Использование распределенных брэгговских отражателей на основе чередующихся слоев Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As, не поглощающих на длине волны накачного лазера, позволило снизить величину пороговой мощности оптической накачки до 180 μW (для 3 μm-микролазера). Добротность микрорезонатора на пороге генерации для мод шепчущей галереи ...

Добавлено: 30 апреля 2025 г.