?
Физические процессы в p-n-переходе
М. :
МИЭМ, 2009.
Рассматриваются вопросы теории работы p-n-перехода: процессы формирования запорного слоя, равновесное состояние перехода, прохождение тока через переход, импульсные и частотные свойства, пробой перехода.
Лысенко А. П., М. : МИЭМ, 2011
Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 210104 «Твердотельная электроника и микроэлектроника», а также для магистратуры по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника». В пособии рассматриваются особенности пробоя реальных p-n-переходов и обсуждаются методы повышения пробивного напряжения.
Список русскоязычной учебной литературы, посвященной физическим процессам в p-n-переходе, весьма широк. Достаточно сказать, что, начиная с классических монографий А.И. ...
Добавлено: 13 апреля 2012 г.
Лысенко А. П., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014
Рассматриваются вопросы физики р-п-перехода, понимание которой совершенно необходимо при анализе работы подавляющего большинства объектов микро- и наноэлектроники. Хотя список учебной и научной литературы, в которой разбираются вопросы теории р-п-перехода, весьма велик, многолетний опыт преподавания этого раздела твердотельной электроники показывает, что универсального учебника нет. Сделана попытка, изложить достаточно сложные физические процессы в максимально упрощенном варианте. Приведены ...
Добавлено: 20 марта 2014 г.
Петросянц К. О., Pugachev A., Харитонов И. А., , in : Proceedings of the Seventh European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES2019). : Madrid : [б.и.], 2019. P. 1-7.
Добавлено: 6 июня 2019 г.
Чернов А. А., М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2006
Кратко изложены физические принципы работы вакуумного диода. Представлены описание экспериментальной установки и методика выполнения лабораторной работы.
Предназначены для студентов III-го курса специальности 210104 “Микроэлектроника и твердотельная электроника”. ...
Добавлено: 22 июня 2012 г.
Tomi M., M.R. Samatov, A.S. Vasenko и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 Article 134513
Добавлено: 24 октября 2021 г.
Добавлено: 20 октября 2022 г.
Андреевская Т. М., Пашев Р. Ю., Абрамешин А. Е., В кн. : Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26. Т. 3.: М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 527-530.
В статье дается метод диагностирования интегральных схем на основании идентификации внутренних параметров тестовой структуры в виде полупроводникового диода. ...
Добавлено: 5 ноября 2013 г.
Малеев Н. А., Бобров М. А., Кузьменков А. Г. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 20 С. 51-54
птимальная форма вольт-фарадной характеристики является критическим параметром, определяющим эффективность умножения для гетеробарьерных варакторов (ГБВ) миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Численная модель для расчета вольт-фарадных характеристик и токов утечки ГБВ с произвольным профилем состава и легирования верифицирована на основе опубликованных и оригинальных экспериментальных данных. Спроектированная гетероструктура ГБВ с тремя нелегированными барьерами InAlAs/AlAs/InAlAs в окружении неоднородно легированных модулирующих ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.