?
Magneto-Optical Studies of Narrow Band-Gap Heterostructures with Type II Quantum Dots InSb in an InAs Matrix
Acta Physica Polonica A . 2011. Vol. 120. No. 5. P. 868-869.
Мухин М. С., Terent'ev Y. V., Golub L. E., Nestoklon M. O., Meltser B. Y., Semenov A. N., Solov'ev V. A., Sitnikova A. A., Toropov A. A., Иванов С. В.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37-39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Terent'ev Y. V., Zoth C., Bel'kov V. V. и др., Applied Physics Letters 2011 Vol. 99 No. 7 P. 1-3
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Chistyakov A., Zvaigzne M., Nikitenko V. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2017 Vol. 8 No. 17 P. 4129-4139
Quantum dot (QD) solids represent a new type of condensed matter drawing high fundamental and applied interest. Quantum confinement in individual QDs, combined with macroscopic scale whole materials, leads to novel exciton and charge transfer features that are particularly relevant to optoelectronic applications. This Perspective discusses the structure of semiconductor QD solids, optical and spectral ...
Добавлено: 7 октября 2017 г.
Rakhlin M. V., Belyaev K. G., Klimkoa G. V. и др., JETP Letters 2019 Vol. 109 No. 3 P. 145-149
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Gordeev N. Y., Максимов М. В., Payusov A. S. и др., Semiconductor Science and Technology 2021 Vol. 36 No. 1 Article 015008
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Terent'ev Y. V., Мухин М. С., Toropov A. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2013 Vol. 87 No. 4 P. 1-19
Добавлено: 18 февраля 2021 г.
Zhukov A., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2020 Vol. 56 No. 5 P. 1-8
Добавлено: 30 июля 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Maximov M. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2015 Vol. 21 No. 6 P. 709-713
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2019
Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей ...
Добавлено: 10 февраля 2020 г.
Рябчун С. А., Гольцман Г. Н., Tretyakov I. V. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2019 Vol. 13 No. 9 P. 1-6
Добавлено: 24 октября 2019 г.
Надточий А. М., Максимов М. В., Mintairov S. и др., Physica Status Solidi (B): Basic Research 2018 Vol. 255 No. 9 Article 1800123
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. и др., Optics Letters 2018 Vol. 43 No. 19 P. 4554-4557
Добавлено: 27 сентября 2020 г.
Rakhlin M., Sorokin S., Kazanov D. и др., Nanomaterials 2021 Vol. 11 No. 4 P. 1-10
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Ledentsov N. N., Shchukin V. A., Shernyakov Y. M. и др., Solid-State Electronics 2019 Vol. 155 P. 129-138
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Prazdnichnykh A., Глазов М. М., Ren L. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 103 No. 8 P. 085302-1-085302-12
Добавлено: 5 марта 2021 г.
Крыжановская Н. В., Maximov M., Жуков А. Е. и др., Journal of Lightwave Technology 2015 Vol. 33 No. 1 P. 171-175
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Добавлено: 31 октября 2019 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Жуков А. Е., Applied Physics B: Lasers and Optics 2018 Vol. 124 No. 2 Article 21
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Terent'ev Y. V., Мухин М. С., Toropov A. A. и др., AIP Conference Proceedings 2011 Vol. 1399 No. 1 P. 667-668
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Крыжановская Н. В., Polubavkina Y., Моисеев Э. И. и др., Journal of Applied Physics 2017 Vol. 121 No. 4 P. 043104
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 3 С. 256-263
Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур
InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость
коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как
с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения.
В ...
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 4 С. 42-45
Проведено сравнение характеристик торцевых лазеров с активной областью на основе нового типа наноструктур - квантовых яма-точек с различной длиной волны излучения. Для структур, излучающих на длинах волн 980 и 1080 nm, продемонстрированы минимальные значения пороговой плотности тока 160 и 125 A/cm2, внутренние квантовые эффективности 74 и 85% и внутренние потери 1.1 и 0.9 cm-1 соответственно. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.