?
Светоизлучающие структуры для кремниевой оптоэлектроники на основе локально растянутых Ge микроструктур
С. 70-70.
Новиков А. В., Юрасов Д. В., Яблонский А. Н., Байдакова Н. А., Морозова Е. Е., Вербус В. А., Гусев Н. С., Шенгуров Д. В., Нежданов А. В., Машин А. И.
В последние годы Ge становится одним из ключевых материалов кремниевой фотоники. В частности значительные надежды связывают с применением деформированного (растянутого) Ge для решения проблемы создания на кремнии эффективного источника излучения ближнего ИК диапазона. В настоящей работе представлены результаты по формированию одноосно деформированных Ge микроструктур и исследованию их спектров люминесценции
В книге
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2019