• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Towards the Distributed Temperature Sensor with Potential Characteristics of Accuracy
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Towards the Distributed Temperature Sensor with Potential Characteristics of Accuracy

Ch. 1. P. 268–271.
Стукач О. В., Ершов И. А., Sychev I.

Известная из теории автоматического регулирования и управления идея о потенциальных импульсных характеристиках используется для повышения метрологической точности распределенных датчиков температуры. Во всех известных работах для уменьшения погрешности преобразования используется усреднение импульсного отклика или его обработка по определенным алгоритмам. Это есть плохая идеализация используемых импульсных сигналов для упрощения расчётов. При этом по умолчанию предполагается, что фронт и спад плоской вершины импульса не влияют на точность преобразования. Данный подход не учитывает погрешности, связанной с переходной характеристикой, характерной для любого сигнала, проходящего через систему с конечным числом элементов. Показано, что это не соответствует действительности и предложена новая структура ДТС с характеристиками, приближенными к так называемым потенциально достижимым. Предложено использовать математическую теорию потенциально достижимых импульсных характеристик для определения границы точности импульсного преобразователя. Таким образом наш подход – это отказ от идеализации сигналов в пользу использования расчётных методов аппроксимации. Новый подход позволяет учитывать параметры переходного процесса - как длительность фронта, среза и величину перерегулирования на фронте и срезе. В свою очередь это минимизирует погрешность, связанную с методами расчёта температуры. Моделирование заключается в том, что отражённый сигнал представлен в виде полинома Ланнэ. Для нахождения величины максимального перерегулирования был использован второй полиномиальный алгоритм Ремеза. Финально, в статье приведён принцип работы распределённого оптоволоконного датчика температуры. Обозначены методы, связанные соснижением влияния шума на результат измерений. Даны практические советы по увеличению точности измерений распределённым оптоволоконным датчиком температуры

Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: датчики температурыsurface temperature

В книге

2018 XIV International Scientific-Technical Conference on Actual Problems of Electronics Instrument Engineering (APEIE)
IEEE, 2018.
Похожие публикации
Experimental Studies of Laboratory Samples of Fiber-Optic Sensors within Reinforced Concrete Building Construction. Part 1: Overview
O.V. Stukach, Aimagambetova R. Z., Mekhtiyev A. D., , in: 2024 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED).: IEEE, 2024. P. 1–9.
Добавлено: 13 января 2025 г.
Calculation of the electrode surface temperature in the normal glow discharge
Бондаренко Г. Г., Кристя В. И., Супельняк М. И., Vacuum 2012 Vol. 86 No. 7 P. 854–856
Получено аналитическое решение уравнения нестационарного двумерного распределения температуры в объеме цилиндрического электрода с катодным пятном на его торце после зажигания нормального тлеющего разряда. Решена система уравнений, связывающая среднюю температуру поверхности электрода в катодном пятне, устанавливающуюся после достаточно большого времени горения разряда, с параметрами катодного слоя разряда, и найдена зависимость ее величины от времени,  учитывающая влияние ...
Добавлено: 30 ноября 2012 г.
Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС
Петросянц К. О., Рябов Н. И., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов.: М.: ИППМ РАН, 2010. С. 80–85.
В работе рассматривается моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС двух типов. Точечные датчики представляют собой эмиттерные области малого размера. Полосковые датчики представляют собой длинные узкие эмиттерные области. Исходной информацией для анализа служит предварительно рассчитанное распределение температуры на поверхности кристалла ИС. Для обоих типов датчиков рассмотрены эффекты, искажающие определяемое ими значение максимальной температуры: для точечных датчиков ...
Добавлено: 20 апреля 2012 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору