?
Computer Simulations and Experimental Investigation for Heterodyne Characteristics on PCB with the Increased Resistance to Electrostatic Discharges
P. 1–5.
Ключевые слова: computer simulationconductivityprinted circuit boardsHeterodyneComposite dielectricRadio engineering devicescharging and electrostatic discharge
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Добавлено: 13 марта 2025 г.
Зайцев-Зотов С. В., Review of Scientific Instruments 2024 Vol. 95 No. 6 Article 063905
Добавлено: 25 февраля 2025 г.
Springer, 2025.
Добавлено: 21 февраля 2025 г.
Springer, 2025.
Добавлено: 21 февраля 2025 г.
Добавлено: 22 января 2025 г.
Orlova E., Kostanyan L., Trukhacheva M. и др., CrystEngComm 2024 Vol. 26 No. 25 P. 3424–3430
Добавлено: 24 июня 2024 г.
Orlova E. I., Trukhacheva M. P., Sorokin T. A. и др., Crystallography reports 2024 Vol. 69 No. 2 P. 199–205
Добавлено: 24 мая 2024 г.
, 2023.
Добавлено: 8 марта 2024 г.
Orlova E., Morkhova Y., Egorova A. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2024 Vol. 26 No. 9 P. 7772–7782
Добавлено: 28 февраля 2024 г.
Злотник А. А., Ломоносов Т. А., Chaos 2023 Vol. 33 No. 11 Article 113128
Добавлено: 30 октября 2023 г.
Zhigileva E., Enakieva Y., Sinelshchikova A. и др., Dalton Transactions 2023 Vol. 52 No. 24 P. 8237–8246
Добавлено: 18 октября 2023 г.
Белов А. В., Ekaterina A. Melekhova, Воронцова Т. Д., , in: 2022 International Conference on Quality Management, Transport and Information Security, Information Technologies (IT&QM&IS).: St. Petersburg: IEEE, 2022. P. 219–223.
В статье рассматривается проблема повышения качества металлопродукции. В настоящее время на металлургических предприятиях преобладают деструктивные методы контроля качества стальной заготовки. Такой подход к оценке качества является расточительным и увеличивает ее себестоимость. Одним из способов удешевления производства металлопродукции является сокращение использования методов деструктивного контроля за счет автоматической паспортизации металлов. В работе предлагается использовать алгоритм прогнозирования механических свойств конечного ...
Добавлено: 28 января 2023 г.
Добавлено: 25 ноября 2022 г.
Норман Г. Э., Саитов И. М., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 111 № 3 С. 175–180
Получены полуметаллические состояния кристаллического молекулярного водорода при температуре 100К в диапазоне давлений от 410 до 626 ГПа. Для анализа характера проводимости проводится расчет зонной структуры в рамках теории функционала плотности с использованием гибридного обменнокорреляционного функционала HSE (Heyd–Scuseria–Ernzerhof). Одно из полуметаллических состояний
возникает в моноклинной структуре с симметрией C2/c при сжатии до давления 410 ГПа, при котором
происходит ...
Добавлено: 29 октября 2022 г.
Базелян Э. М., Александров Н. Л., Физика плазмы 2022 Т. 48 № 7 С. 639–647
В рамках 1.5D-модели с учетом ионизационного расширения канала выполнено численное моделирование положительного стримера в длинных (до 3 м) воздушных промежутках при нормальных условиях. Показано, что среднее электрическое поле в канале и поле, необходимое для замыкания разрядного промежутка, не являются универсальными величинами и сильно зависят от режима разгона стримера после его возникновения. В частности, в воздухе ...
Добавлено: 26 октября 2022 г.
Bolnokin V. E., A. F. Kaperko, Sorokin S. A. и др., International Journal on Information Technologies and Security 2022 Vol. 14 No. 3 P. 59–66
Добавлено: 13 октября 2022 г.
IOP Publishing, 2021.
Добавлено: 11 октября 2022 г.
Агапов И. И., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–3.
Добавлено: 8 сентября 2022 г.
R. R. Gazizov, Medvedev A. V., Gazizov T. R., , in: 2021 Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines (Dynamics).: IEEE, 2021. P. 1–4.
Добавлено: 22 мая 2022 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Kuznetsov E., Golyaev Y., Kolbas Y. и др., Optical and Quantum Electronics 2021 Vol. 53 No. 10 Article 596
Добавлено: 23 октября 2021 г.
Нагаев К. Э., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 Article 075423
Добавлено: 14 октября 2021 г.