• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Simulation of car collision while overtaking with moving into the oncoming lane
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
23 июня 2026 г.
Дрожь земли: ученые ВШЭ научились отслеживать опасные подземные вибрации в реальном времени
Исследователи из МИЭМ ВШЭ и ИПКОН РАН разработали новую математическую модель мониторинга, которая позволяет фиксировать источник опасных подземных вибраций в реальном времени. Технология поможет снизить риск повреждения зданий, дорог и другой инфраструктуры рядом с карьерами и шахтами. Работа ученых опубликована в журнале «Горная промышленность».
22 июня 2026 г.
Эффект Вышки: статьи в журналах первого квартиля и PhD в Университете Сиднея
Стефен Содоке, магистрант ОП «Население и развитие» Института демографии имени А.Г. Вишневского НИУ ВШЭ, победил в прошлом году в конкурсе научно-исследовательских работ студентов (НИРС). В 2026-м, уже в статусе выпускника Высшей школы экономики, он опубликовал две статьи в журналах первого квартиля и получил PhD в Университете Сиднея. Об исследовании Стефена и роли Вышки в его академической карьере — в нашем материале.
17 июня 2026 г.
Биоинформатики НИУ ВШЭ обнаружили 20 опасных мутаций в гене, связанном с легочной артериальной гипертензией
Ученые НИУ ВШЭ совместно с коллегами из российских университетов выяснили, какие мутации в гене ACVRL1 опасны для пациентов с легочной артериальной гипертензией. Они смоделировали, как изменения в гене влияют на связывание АТФ с белком — процесс, от которого зависит передача сигналов, необходимых для работы сосудов. Оказалось, что 20 из 32 вариантов могут нарушать передачу сигнала и провоцировать болезнь. Результаты опубликованы в Journal of Structural Biology.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Simulation of car collision while overtaking with moving into the oncoming lane

P. 1–5.
Alexander N. Varnavsky, Sinitsina N.
Язык: английский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: statistical modelingprobability of collision

В книге

2016 Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines (Dynamics)
IEEE, 2016.
Похожие публикации
Soil Temperature, Organic-Carbon Storage, and Water-Holding Ability Should Be Accounted for the Empirical Soil Respiration Model Selection in Two Forest Ecosystems
Sergey Kivalov, Lopes de Gerenyu V., Khoroshaev D. и др., Forests 2023 Vol. 14 No. 8 Article 1568
Добавлено: 24 апреля 2026 г.
EVALUATION OF THE DEPENDABILITY INDICATORS OF THE RESTORED EQUIPMENT BY THE SIMULATION METHOD
Жаднов В. В., , in: Information Innovative Technologies: Materials of the International scientific – рractical conference.: M.: Association of graduates and employees of AFEA named after prof. Zhukovsky, 2021. P. 207–211.
Добавлено: 21 июня 2021 г.
Модель магистрально-модульного преобразователя напряжения для расчета его наработки до отказа методом статистического моделирования при смешанном резервировании его каналов
Жаднов В. В., В кн.: Труды Международного симпозиума НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВОТ. 1.: Пенза: Издательство ПГУ, 2020. С. 52–55.
Рассмотрены вопросы формирования наработки до отказа многоканального преобразователя напряжения с магистрально-модульной архитектурой и смешанном резервированием его силовых каналов типа «N+1+K» при статистическом моделировании. Предложена формальная модель преобразователя со смешанном резервированием, которая позволяет получить реализацию наработки преобразователя с учетом отказов каналов в режимах работы и ожидания, а также отказов резервных каналов при их подключении. Разработанная модель ...
Добавлено: 26 мая 2020 г.
Model of Voltage Converter with Redundancy of Power Channels for Calculation of Its Operating Time in Statistical Modeling
Жаднов В. В., , in: Information Innovative Technologies: Materials of the International scientific – рractical conference.: M.: Association of graduates and employees of AFEA named after prof. Zhukovsky, 2020. P. 142–149.
Добавлено: 27 апреля 2020 г.
Account of the Operation Model of Electronic Components in Statistical Modeling
Жаднов В. В., , in: Information Innovative Technologies: Materials of the International scientific – рractical conference.: M.: Association of graduates and employees of AFEA named after prof. Zhukovsky, 2019. P. 125–130.
Добавлено: 5 июня 2019 г.
Statistical modeling the probability of some types of automobile-pedestrian accidents
Alexander N. Varnavsky, Sinitsina N., , in: 2016 13th International Scientific-Technical Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering, APEIE 2016 - Proceedings.: IEEE, 2016. P. 216–220.
Добавлено: 4 октября 2018 г.
Исследование потребительских предпочтений на московском рынке смартфонов
Звездина Н. В., Сорокин А. С., Вопросы статистики 2017 № 7 С. 41–51
В статье приводятся результаты проведенного авторами в 2016 г. исследования потребительских предпочтений на московском рынке смартфонов. Авторы проанализировали характер развития рынка высокотехнологичных устройств (смартфонов, планшетов и т. п.), обусловленный динамизмом инновационных технологий и сложной структурой спроса, формируемой индивидуальными потребителями. Анкета обследования включала три основных блока вопросов: социально-демографическую часть; вопросы, характеризующие потребительское отношение респондентов к смартфонам и ...
Добавлено: 4 сентября 2017 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору