Применение метода РОР для определения профиля распределения и элементного состава пленок, напыленных на установке плазменный фокус

С. 166–166.

Ерискин А. А., Бондаренко Г. Г., Колокольцев В. Н., Куликаускас В. С., Силин П. В., Никулин В. Я.

Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов He+ энергией 2 МэВ изучены профили распределения C, Cu и W в пленках, напыленных на установке ПФ-4, ФИАН. Пленки напылялись на стеклянные подложки в газах Ar, D2. Установлено, что профили распределения элементов существенно зависят от кинетической энергии частиц и их размеров. При скоростях частиц ~100 км/с частицы проникают на глубину ~500 нм. Профили носят негомогенный характер. Для каждой примеси существуют определенные глубины залегания слоев под поверхностью стекла.

Особенностью получаемых пленок является расположение слоев примесей под поверхностью стеклянной подложки и их взаимное перекрытие. Такое расположение напыленных слоев существенно отличается от традиционно используемых методов нанесения пленок.

Ключевые слова: плазменный фокус, вольфрам, plasma focus, tungsten film, вольфрамовая пленка, углерод, W-Cu composition, W-Cu композиция, tungsten, carbon, высокотемпературная плазма, C, C, high-temperature plasma, profiles in the depth distribution of elements, профили распределения элементов по глубине, W-films, deuterium plasma, Rutherford backscattering RBS, дейтериевая плазма, Резерфордовское обратное рассеяние РОР, carbon films, Copper, copper films, Cu-films, Cu, argon plasma, C-films, tungsten films, медная пленка, Cu-пленка, W-пленка, аргоновая плазма, углеродные пленки, W-films

В книге

Тезисы докладов XLV международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами

Университетская книга, 2015.