?
Применение метода РОР для определения профиля распределения и элементного состава пленок, напыленных на установке плазменный фокус
Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов He+ энергией 2 МэВ изучены профили распределения C, Cu и W в пленках, напыленных на установке ПФ-4, ФИАН. Пленки напылялись на стеклянные подложки в газах Ar, D2. Установлено, что профили распределения элементов существенно зависят от кинетической энергии частиц и их размеров. При скоростях частиц ~100 км/с частицы проникают на глубину ~500 нм. Профили носят негомогенный характер. Для каждой примеси существуют определенные глубины залегания слоев под поверхностью стекла.
Особенностью получаемых пленок является расположение слоев примесей под поверхностью стеклянной подложки и их взаимное перекрытие. Такое расположение напыленных слоев существенно отличается от традиционно используемых методов нанесения пленок.