?
Фотоэмиссия неравновесных носителей заряда в высокоомный полупроводник при локальном освещении
С. 195–199.
Исследована фотоэмиссия неравновесных носителей заряда в высокоомный арсенид галлия. Установлено, что освещение даже небольшой локальной области образца, расположенной вдалеке от контактов, влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводитость кристалла. На люкс-амперных зависимостях наблюдается линейный участок, угловой коэффициент которого пропорционален диаметру освещаемой поверхности. Предложена модель, качественно объясняюшая полученные экспериментальные результаты.
В книге
М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Добавлено: 10 февраля 2026 г.
Зайцев-Зотов С. В., Review of Scientific Instruments 2024 Vol. 95 No. 6 Article 063905
Добавлено: 25 февраля 2025 г.
Добавлено: 22 января 2025 г.
Orlova E., Kostanyan L., Trukhacheva M. и др., CrystEngComm 2024 Vol. 26 No. 25 P. 3424–3430
Добавлено: 24 июня 2024 г.
Orlova E. I., Trukhacheva M. P., Sorokin T. A. и др., Crystallography reports 2024 Vol. 69 No. 2 P. 199–205
Добавлено: 24 мая 2024 г.
Orlova E., Morkhova Y., Egorova A. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2024 Vol. 26 No. 9 P. 7772–7782
Добавлено: 28 февраля 2024 г.
Zhigileva E., Enakieva Y., Sinelshchikova A. и др., Dalton Transactions 2023 Vol. 52 No. 24 P. 8237–8246
Добавлено: 18 октября 2023 г.
Добавлено: 25 ноября 2022 г.
Норман Г. Э., Саитов И. М., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 111 № 3 С. 175–180
Получены полуметаллические состояния кристаллического молекулярного водорода при температуре 100К в диапазоне давлений от 410 до 626 ГПа. Для анализа характера проводимости проводится расчет зонной структуры в рамках теории функционала плотности с использованием гибридного обменнокорреляционного функционала HSE (Heyd–Scuseria–Ernzerhof). Одно из полуметаллических состояний
возникает в моноклинной структуре с симметрией C2/c при сжатии до давления 410 ГПа, при котором
происходит ...
Добавлено: 29 октября 2022 г.
Агапов И. И., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–3.
Добавлено: 8 сентября 2022 г.
Кондратьев И. А., Моисеенко С. Г., Бисноватый-Коган Г. С. и др., Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 2020 Vol. 497 No. 3 P. 2883–2892
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Нагаев К. Э., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 Article 075423
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Нагаев К. Э., Маношин А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 102 Article 155411
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Нагаев К. Э., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 102 No. 4 Article 045426
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
Юрова П. А., Караванова Ю. А., Ярославцев А. Б., Журнал неорганической химии 2015 Т. 60 № 11 С. 1551–1553
Исследованы свойства гибридных материалов на основе гетерогенной мембраны МК-40, гомогенной мембраны МФ-4СК и оксида циркония с функционализированной поверхностью. Изучены ионная проводимость и диффузионные параметры этих материалов. Выявлено наличие эффекта асимметрии диффузионной проницаемости и взаимной диффузии растворов HCl и NaCl через исследуемые мембраны. Рассмотрены причины возникновения асимметрии и механизмы влияния допанта на диффузионные параметры. ...
Добавлено: 13 ноября 2019 г.
D. A. Abrameshin,, E. D. Pozhidaev,, V. S. Saenko и др., IEEE Transactions on Plasma Science 2019 Vol. 47 No. 8 P. 3653–3657
Аннотация. Мы провели компьютерное моделирование и экспериментальные исследования характеристик стандартного аналогового устройства - гетеродина, использующего печатную плату
изготовленнyю из композитного диэлектрика с контролируемой темновой проводимостью. Результаты моделирования показывают, что повышенная проводимость печатной платы менее 2 × 10 ^ −7 Ом ^ −1 • м ^ -1 практически не влияет на характеристики гетеродина, работающего в диапазоне частот ...
Добавлено: 27 мая 2019 г.