?
Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). В 2 томах. Том 1-й
Работа посвящена экспериментальному исследованию влияния распределения неоднородности тонкой (5–10 нм) сверхпроводящей пленки NbN на свойства отдельных пикселей матрицы HEB-смесителей, изготовленной на ее основе. Исследования проводились при разных температурах Si-подложки, при Т вблизи Тс и Т много ниже Тс, это позво ляло выделять отдельные интерфейсы в смесителе за счет разной Тс элементов смесителя. Однородность используемой NbN-пленки и параметров изготовленных смесителей матрицы достигалась как путем подготовки поверхности Si-подложки, так и путем использования осажденного in situ с пленкой NbN слоя Au – контакта с планарной ТГц антенной. Изготовленные HEB-смесители имели практически идентичные R(T) характеристики с разбросом Тс и нор мального сопротивления R300 не более 0,15 К и 2 Ом соответственно. Шумовая температура на частоте гетеродина 2,52 ТГц не превышала 800 К с разбросом 50 К. Шумовая полоса смесителей при Т = 4,5 К составляла 7 ГГц. В работе явно продемонстрировано влияние неравновесных процессов, протекающих в пленке NbN вблизи Au нормальных контактов на характеристики создаваемых смесителей. Разработанная технология изготовления позволяет создать многопиксельные гетеродинные матрицы из NbN HEB-смесителей с высокой однородностью параметров пикселей, составляющих матрицу.
