• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Применение тепловых трубок в туннельной микроскопии
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
17 июня 2026 г.
Биоинформатики НИУ ВШЭ обнаружили 20 опасных мутаций в гене, связанном с легочной артериальной гипертензией
Ученые НИУ ВШЭ совместно с коллегами из российских университетов выяснили, какие мутации в гене ACVRL1 опасны для пациентов с легочной артериальной гипертензией. Они смоделировали, как изменения в гене влияют на связывание АТФ с белком — процесс, от которого зависит передача сигналов, необходимых для работы сосудов. Оказалось, что 20 из 32 вариантов могут нарушать передачу сигнала и провоцировать болезнь. Результаты опубликованы в Journal of Structural Biology.
17 июня 2026 г.
Интеллектуальная робототехника: кадровый голод и масса возможностей
Пока на рынке мало кадров, способных заниматься разработкой интеллектуальных робототехнических систем. Между тем именно к этому идет робототехника. Как учат ее проектированию и каково будущее отрасли, в интервью IQ Media рассказал заведующий Проектно-учебной лабораторией робототехники НИУ ВШЭ Вадим Моргачев.
17 июня 2026 г.
Каким должно быть образование, чтобы готовить кадры для экономики будущего
Эти вопросы обсудят на форуме HR EXPO PRO ЛЮДЕЙ, который состоится 18-19 июня в Москве. В его работе примет участие ректор НИУ ВШЭ Никита Анисимов, федеральные министры, HR-директора компаний, ректоры вузов, эксперты. На форуме будет представлен стенд, посвященный программам ДПО НИУ ВШЭ.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Применение тепловых трубок в туннельной микроскопии

С. 194–197.
Ивашов Е. Н., Федотов К. Д.

Рассмотрены модификации устройств зондовой микроскопии с применением тепловых трубок. Описаны процессы переноса тепла и энергии в тепловых трубках.

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: сканирующая туннельная микроскопиянанотехнологии в электроникеscanning tunneling microscopynanotechnologies in electronicsheat pipesтепловые трубки

В книге

INTERMATIC - 2013. Материалы Международной научно-технической конференции "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения", 2–6 декабря 2013 г., Москва
Ч. 3. , МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2013.
Похожие публикации
Visualization of Atomic Structures on Faceted and Nonflat Surfaces by the Difference-of-Gaussians Approach
A. Yu. Aladyshkin, Chaika A. N., Semenov V. N. и др., Journal of Physical Chemistry C 2024 Vol. 128 No. 38 P. 16143–16153
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Лекции по физике поверхности
Аладышкин А. Ю., Фраерман А. А., Н. Новгород: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2024.
В книге затронут широкий круг вопросов физики ограниченных твёрдых тел. Рассмотрено взаимодействие электромагнитного излучения рентгеновского диапазона, «тепловых» нейтронов и электронов с поверхностью твёрдого тела и многослойными структурами. Излагаются основы теории электронных состояний в полуограниченных твёрдых телах и применение метода туннельной спектроскопии для экспериментального изучения этих состояний. Возникновение поверхностной (прикраевой) сверхпроводимости на границах раздела рассматривается как ...
Добавлено: 1 февраля 2024 г.
Scanning tunneling microscopy of Bi2Te3 films prepared by pulsed laser deposition: from nanocrystalline structures to van der Waals epitaxy
N.I. Fedotov, Maizlakh A. A., V.V. Pavlovskiy и др., Surfaces and Interfaces 2022 Vol. 31 Article 102015
Добавлено: 31 января 2024 г.
Investigation of Electronic and Atomic Structure and Transport Properties of Black Phosphorus Single Crystals
Chekmazov S. V., Zagitova A. A., Ионов А. М. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2023 Vol. 17 No. 3 P. 620–624
Добавлено: 19 декабря 2023 г.
Dangling bonds on the Cl- and Br-terminated Si(100) surfaces
Павлова Т. В., Шевлюга В. М., Андрюшечкин Б. В. и др., Applied Surface Science 2022 Vol. 591 P. 153080–153080
Добавлено: 17 октября 2022 г.
Vacancy diffusion on a brominated Si(100) surface: Critical effect of the dangling bond charge state
T. V. Pavlova, V.M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2022 Vol. 157 Article 124705
Добавлено: 17 октября 2022 г.
Особенности начальной стадии роста ниобийсодержащих наноструктур на поверхности Si(111)-7×7
Путилов А. В., Музыченко Д. А., Аладышкин А. Ю., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2016 Т. 3 С. 10–18
Экспериментально исследована начальная стадия процесса роста островковых наноструктур в ходе термического осаждения ниобия на реконструированную поверхность кремния Si(111)-7×7 в условиях сверхвысокого вакуума. Морфологические и электрофизические свойства ниобийсодержащих наноструктур были изучены с помощью низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии. Было обнаружено, что при напылении ниобия на подложку при комнатной температуре на поверхности кремния формируются кластеры и ...
Добавлено: 16 сентября 2022 г.
Особенности роста поверхностных структур, вызванных адсорбцией Ge на поверхности Au(111)
Музыченко Д. А., Орешкин А. И., Орешкин С. И. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 С. 201–207
Представлены результаты исследования начальной стадии адсорбции Ge на поверхности Au(111) с анализом особенностей роста и стабильности формируемых на поверхности структур методами сверхвысоковакуумной низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и теории функционала плотности. Установлено, что адсорбция единичных атомов Ge на поверхности Au(111) при комнатной температуре приводит к замещению атомов Au атомами Ge в первом поверхностном слое, что при ...
Добавлено: 15 сентября 2022 г.
C60 layer growth on intact and Tl-modified Si(111)5×2-Au
Olyanich D. A., Mararov V. V., Utas T. V. и др., Applied Surface Science 2018 Vol. 456 P. 801–807
Добавлено: 15 сентября 2022 г.
Dangling bonds on the Cl- and Br-terminated Si(100) surfaces
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Andryushechkin B. V. и др., Applied Surface Science 2022 Vol. 591 Article 153080
Добавлено: 22 июня 2022 г.
Double Fe-impurity charge state in the topological insulator Bi2Se3
Stolyarov V., Ремизов С. В., Shapiro D. S. и др., Applied Physics Letters 2017 Vol. 111 No. 25 Article 251601
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Superconducting Long-Range Proximity Effect through the Atomically Flat Interface of a Bi2Te3 Topological Insulator
Stolyarov V., Pons S., Vlaic S. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2021 Vol. 12 No. 37 P. 9068–9075
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Heavy-Atom Antiferromagnet GdBiTe: An Interplay of Magnetism and Topology in a Symmetry-Protected Topological Semimetal
Gebauer P., Poddig H., Corredor-Bohorquez L. T. и др., Chemistry of Materials 2021 Vol. 33 No. 7 P. 2420–2435
Добавлено: 30 апреля 2021 г.
New atomic-scale insights into the I/Ni(100) system: phase transitions and growth of an atomically thin NiI2 film
Комаров Н. С., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 P. 1896–1913
Добавлено: 21 января 2021 г.
Deformation and fracture of crystalline tungsten and fabrication of composite STM probes
Andrei M. Ionov, Chekmazov S., Usov V. и др., Ultramicroscopy 2020 Vol. 218 No. 11 P. 113083
Добавлено: 24 декабря 2020 г.
Local removal of silicon layers on Si(1 0 0)-2 × 1 with chlorine-resist STM lithography
T.V. Pavlova, Шевлюга В. М., B.V. Andryushechkin и др., Applied Surface Science 2020 Vol. 509 P. 145235
Добавлено: 18 мая 2020 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору