• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Применение тепловых трубок в туннельной микроскопии
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
22 мая 2026 г.
Лаборатория живых смыслов: как проект НИУ ВШЭ и СахГУ переосмысляет труд
Проект «Зеркальные лаборатории» НИУ ВШЭ — Пермь и Сахалинского государственного университета (СахГУ) изучает, как культура, среда и технологии формируют и меняют трудовые смыслы. Исследование объединяет индивидуальный опыт, профессиональные нормы, городские проблемы, творческие практики и цифровые условия труда. Руководитель Лаборатории междисциплинарных исследований по антропологии труда НИУ ВШЭ в Перми Лилия Пантелеева рассказала о работе проекта.
21 мая 2026 г.
«Пик глупости» и «долина отчаяния»: экономисты НИУ ВШЭ предложили объяснение эффекта Даннинга - Крюгера
Эффект Даннинга — Крюгера, который описывает резкий всплеск уверенности в своих силах у новичков и такое же стремительное ее падение при наборе опыта, объясняется особенностями процесса обучения и набора новых знаний. К такому выводу пришли сотрудник факультета экономических наук НИУ ВШЭ Андрей Ворчик вместе с независимым исследователем Муратом Мамышевым. Они разработали математическую модель процесса обучения и показали, как формируется и изменяется субъективная уверенность по мере накопления знаний и как  преподаватель может уменьшить «долину отчаяния» для ученика.
20 мая 2026 г.
«Еж» против «родственника»: ученые измерили, как мозг реагирует на неожиданные слова в живой речи
Российские нейрофизиологи с участием исследователей из НИУ ВШЭ показали, что изучать восприятие живой речи можно с помощью вызванных потенциалов. Они доказали, что метод применим не только к отдельным словам, но и к непрерывной речи. Оказалось, что слова, сильно отличающиеся по смыслу от предыдущего контекста, мозг обрабатывает дольше, а служебные слова анализирует в два этапа: сначала определяет их грамматическую роль, а затем на этой основе предсказывает следующее слово. Исследование опубликовано в журнале Frontiers in Human Neuroscience.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Применение тепловых трубок в туннельной микроскопии

С. 194–197.
Ивашов Е. Н., Федотов К. Д.

Рассмотрены модификации устройств зондовой микроскопии с применением тепловых трубок. Описаны процессы переноса тепла и энергии в тепловых трубках.

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: сканирующая туннельная микроскопиянанотехнологии в электроникеscanning tunneling microscopynanotechnologies in electronicsheat pipesтепловые трубки

В книге

INTERMATIC - 2013. Материалы Международной научно-технической конференции "Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения", 2–6 декабря 2013 г., Москва
Ч. 3. , МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2013.
Похожие публикации
Visualization of Atomic Structures on Faceted and Nonflat Surfaces by the Difference-of-Gaussians Approach
A. Yu. Aladyshkin, Chaika A. N., Semenov V. N. и др., Journal of Physical Chemistry C 2024 Vol. 128 No. 38 P. 16143–16153
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Лекции по физике поверхности
Аладышкин А. Ю., Фраерман А. А., Н. Новгород: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2024.
В книге затронут широкий круг вопросов физики ограниченных твёрдых тел. Рассмотрено взаимодействие электромагнитного излучения рентгеновского диапазона, «тепловых» нейтронов и электронов с поверхностью твёрдого тела и многослойными структурами. Излагаются основы теории электронных состояний в полуограниченных твёрдых телах и применение метода туннельной спектроскопии для экспериментального изучения этих состояний. Возникновение поверхностной (прикраевой) сверхпроводимости на границах раздела рассматривается как ...
Добавлено: 1 февраля 2024 г.
Scanning tunneling microscopy of Bi2Te3 films prepared by pulsed laser deposition: from nanocrystalline structures to van der Waals epitaxy
N.I. Fedotov, Maizlakh A. A., V.V. Pavlovskiy и др., Surfaces and Interfaces 2022 Vol. 31 Article 102015
Добавлено: 31 января 2024 г.
Investigation of Electronic and Atomic Structure and Transport Properties of Black Phosphorus Single Crystals
Chekmazov S. V., Zagitova A. A., Ионов А. М. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2023 Vol. 17 No. 3 P. 620–624
Добавлено: 19 декабря 2023 г.
Dangling bonds on the Cl- and Br-terminated Si(100) surfaces
Павлова Т. В., Шевлюга В. М., Андрюшечкин Б. В. и др., Applied Surface Science 2022 Vol. 591 P. 153080–153080
Добавлено: 17 октября 2022 г.
Vacancy diffusion on a brominated Si(100) surface: Critical effect of the dangling bond charge state
T. V. Pavlova, V.M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2022 Vol. 157 Article 124705
Добавлено: 17 октября 2022 г.
Особенности начальной стадии роста ниобийсодержащих наноструктур на поверхности Si(111)-7×7
Путилов А. В., Музыченко Д. А., Аладышкин А. Ю., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2016 Т. 3 С. 10–18
Экспериментально исследована начальная стадия процесса роста островковых наноструктур в ходе термического осаждения ниобия на реконструированную поверхность кремния Si(111)-7×7 в условиях сверхвысокого вакуума. Морфологические и электрофизические свойства ниобийсодержащих наноструктур были изучены с помощью низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии. Было обнаружено, что при напылении ниобия на подложку при комнатной температуре на поверхности кремния формируются кластеры и ...
Добавлено: 16 сентября 2022 г.
Особенности роста поверхностных структур, вызванных адсорбцией Ge на поверхности Au(111)
Музыченко Д. А., Орешкин А. И., Орешкин С. И. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 С. 201–207
Представлены результаты исследования начальной стадии адсорбции Ge на поверхности Au(111) с анализом особенностей роста и стабильности формируемых на поверхности структур методами сверхвысоковакуумной низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и теории функционала плотности. Установлено, что адсорбция единичных атомов Ge на поверхности Au(111) при комнатной температуре приводит к замещению атомов Au атомами Ge в первом поверхностном слое, что при ...
Добавлено: 15 сентября 2022 г.
C60 layer growth on intact and Tl-modified Si(111)5×2-Au
Olyanich D. A., Mararov V. V., Utas T. V. и др., Applied Surface Science 2018 Vol. 456 P. 801–807
Добавлено: 15 сентября 2022 г.
Dangling bonds on the Cl- and Br-terminated Si(100) surfaces
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Andryushechkin B. V. и др., Applied Surface Science 2022 Vol. 591 Article 153080
Добавлено: 22 июня 2022 г.
Double Fe-impurity charge state in the topological insulator Bi2Se3
Stolyarov V., Ремизов С. В., Shapiro D. S. и др., Applied Physics Letters 2017 Vol. 111 No. 25 Article 251601
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Superconducting Long-Range Proximity Effect through the Atomically Flat Interface of a Bi2Te3 Topological Insulator
Stolyarov V., Pons S., Vlaic S. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2021 Vol. 12 No. 37 P. 9068–9075
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Heavy-Atom Antiferromagnet GdBiTe: An Interplay of Magnetism and Topology in a Symmetry-Protected Topological Semimetal
Gebauer P., Poddig H., Corredor-Bohorquez L. T. и др., Chemistry of Materials 2021 Vol. 33 No. 7 P. 2420–2435
Добавлено: 30 апреля 2021 г.
New atomic-scale insights into the I/Ni(100) system: phase transitions and growth of an atomically thin NiI2 film
Комаров Н. С., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 P. 1896–1913
Добавлено: 21 января 2021 г.
Deformation and fracture of crystalline tungsten and fabrication of composite STM probes
Andrei M. Ionov, Chekmazov S., Usov V. и др., Ultramicroscopy 2020 Vol. 218 No. 11 P. 113083
Добавлено: 24 декабря 2020 г.
Local removal of silicon layers on Si(1 0 0)-2 × 1 with chlorine-resist STM lithography
T.V. Pavlova, Шевлюга В. М., B.V. Andryushechkin и др., Applied Surface Science 2020 Vol. 509 P. 145235
Добавлено: 18 мая 2020 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору