?
Исследование оптических устройств с материалами с фазовым переходом для оптической памяти
Работа посвящена численному расчету распространения ТЕ - оптической моды инфракрасного излучения длины волны 1550 нм и поглощения в волноводе из нитрида кремния Si3N4, содержащем тонкую пленку халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge2Sb2Te5 (GST). Аморфная и кристаллическая фазы GST структурно различаются, что приводит к значительным различиям в оптических и электрических свойствах. Это находит практическое применение в устройствах хранения информации. Особенно заметна разница показателей преломления этих фазовых состояний в телекоммуникационном диапазоне длин волн (1,55 - 1,62 мкм). В работе были подобраны необходимые геометрические параметры структур и проведено моделирование в ПО Comsol с использованием 2D и 3D моделей. Было выявлено, что при увеличении высоты и ширины GST увеличивается поглощение оптического излучения как в аморфном, так и в кристаллических состояниях. Также оптическая мода при аморфном состоянии GST остается в волноводе, в отличии от кристаллического.