?
Mechanistic study of the trans,cis,cis-[RuCl2(DMSO)2(H2O)2] complex photochemistry in aqueous solutions
Photochemical and Photobiological Sciences. 2020. Vol. 19. P. 1222–1229.
Shushakov A. A., Matveeva S. G., Pozdnyakov I., Grivin V., Plyusnin V., Vasilchenko D., Melnikov A., Chekalin S., Glebov E.
It is known that trans,cis,cis-[RuCl2(DMSO)2(H2O)2] (1a) complexes, which are formed upon dissolution of trans-[RuCl2(DMSO)4] in water, demonstrate light-induced cytotoxicity. The mechanistic study of 1a photochemistry has been performed using ultrafast pump–probe spectroscopy, laser flash photolysis and stationary photolysis. The first stage of 1a photochemistry is the photoexchange of a DMSO ligand to a water molecule; its quantum yield is wavelength-dependent (estimating by values 0.3 and 0.04 upon irradiation at 308 and 430 nm, respectively). The mechanism of photoexchange is complicated involving at least four Ru(II) intermediates. Two tentative mechanisms of the process are proposed.
Denis K., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Added: September 6, 2026
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Denis K., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
A model of quasistationary states is constructed for the one-dimensional edge states propagating along the edge of a two-dimensional topological insulator based on HgTe/CdTe quantum well in the presence of magnetic barriers with finite transparency. The lifetimes of these quasistationary states are found analytically and numerically via different approaches including the solution of the stationary ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Dorokhin M. V., Ved M. V. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
The GaAs/InGaAs quantum wells with a ferromagnetic δ〈Mn〉 layer in GaAs barrier demonstrate a set of interesting spin-related phenomena originating from Mn-hole interaction. One of such phenomena is a spin-memory effect which consists of Mn spin polarization induced by interaction with vicinity spin-polarized holes generated under the exposure by short circularly polarized light pulses. Here long Mn ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. et al., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
We have investigated the layers of the (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductor with the thickness in the range of 150 – 400 nm, which have been formed by the combination of the methods of a pulsed laser deposition and a post-growth pulsed laser annealing. It has been found that the laser annealing has a significant effect on the structural, ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
A model of bound state formation from the delocalized edge states of 2D topological insulator (TI) is derived by considering the effects of magnetic barriers attached to the edge of the HgTe/CdTe quantum well. The resulting structure has a spatial form of 1D quantum dot (QD) with variable number of bound states depending on barrier ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Single-spin state evolution induced by the Landau-Zener-Stückelberg-Majorana (LZSM) interference in a Zeeman-spit four-level system in a periodically driven double quantum dot is studied theoretically by the Floquet stroboscopic method. An interplay between spin-conserving and spin-flip tunneling processes with the electric dipole spin resonance (EDSR) that is induced in an individual dot and enhanced by the ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404
Subharmonics of electric dipole spin resonance (EDSR) mediated by Landau-Zener-Stückelberg-Majorana tunneling transitions are studied numerically and analytically in a Zeeman-split four-level system with strong spin-orbit coupling that can be realized, for example, in a GaAs-based double quantum dot in a single-hole regime. The spin qubit is formed in one of the dots and the second ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. et al., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342
Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...
Added: September 6, 2026
Khomitsky D.V., Bastrakova M. V., Pashin D. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 08 Article 085427
Coupled spin evolution and tunneling together with the relaxation and decoherence effects are studied for the double quantum dot formed in a semiconductor nanowire and driven by the periodic electric field. Such structure represents a model of the spin and charge subsystems interacting via the strong spin-orbit coupling. It is found that at certain regimes ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Запруднов Н. А., Физика твёрдого тела, Российская Федерация 2026 Т. 68 № 4 С. 639–648
Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687
Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Дорохин М. В., Ведь М. В. et al., Физика твёрдого тела, Российская Федерация 2026 Т. 68 № 8 С. 1325–1332
Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией ...
Added: September 6, 2026
Томаева М. А., Неверов В. Д., Shanenko A. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 P. 1–6
We report a thermally driven structural crossover of vortex matter in a two-dimensional superconducting Penrose quasicrystal. At low temperatures, vortices are pinned by the quasiperiodic lattice, forming an aperiodic pattern. With increasing temperature, vortex-vortex interactions dominate, leading to a conventional triangular Abrikosov lattice. Our findings reveal a tunable interplay between intrinsic pinning and vortex interactions, ...
Added: September 5, 2026
Неверов В. Д., Красавин А. В., Vagov A. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 113 P. 1–6
We develop a neural network approach to solve the self-consistent Bogoliubov-de Gennes equations in strongly disordered s-wave superconductors. The method accurately reproduces inhomogeneous gap distributions and generalizes to system sizes far larger than those used in training. It reduces computational scaling from O(N6 ) to O(N2), enabling quantitative analysis of percolation phenomena and the superconductor-insulator ...
Added: September 5, 2026
Vervoort L., Springer, 2026.
This open access book provides a method for philosophical problem solving, offering philosophers the tools to stay ahead of machine intelligence. Louis Vervoort argues that, with ultra-intelligent AI knocking at the door, philosophy can no longer rely solely on its ancient methodological toolkit. The proposed method is essentially the same as used in natural science, ...
Added: September 5, 2026
Бондаренко Г.Г., Фишер М. Р., Кристя В. И., Известия РАН. Серия физическая 2026 Т. 90 № 4 С. 867–874
Сформулирована модель катодного слоя тлеющего газового разряда при наличии на
части рабочей поверхности катода тонкой диэлектрической пленки. Показано, что переход тлеющего разряда в дуговой разряд, сопровождающийся значительным увеличением плотности разрядного тока и уменьшением катодного падения напряжения, происходит наиболее быстро, если
пленка занимает примерно половину поверхности катода. ...
Added: September 4, 2026
Migulin A. V., MIlyutin C V, Lichitsky B. V. et al., Organic and Biomolecular Chemistry 2025 Vol. 23 No. 17 P. 4172–4185
In the present communication, a comprehensive study of the photochemical behavior of terarylenes with a 2-aminothiazole bridge unit and an allomaltol substituent was performed. It was shown that for the considered substrates, two types of photoprocesses can be realized. By controlling the structure of the starting material, the photoprocess can be directed toward the 6π-electrocyclization ...
Added: September 10, 2025
Paukov M. I., Starchenko V. V., Melnikov A. et al., Materials Today Chemistry 2024 No. 36 Article 101886
Added: July 24, 2025
Nikovskiy I., Aleshin D., Valentin V. Novikov et al., Inorganic Chemistry 2022 Vol. 61 No. 51 P. 20866–20877
A new synthetic pathway is devised to selectively produce previously elusive heteroleptic iron(II) complexes of terpyridine and N,N′-disubstituted bis(pyrazol-3-yl)pyridines that stabilize the opposite spin states of the metal ion. Such a combination of the ligands in a series of the heteroleptic complexes induces the spin-crossover (SCO) not experienced by the homoleptic complexes of these ligands or ...
Added: January 31, 2023