?
Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018
Vol. 11022G.
SPIE, 2019.
Academic editor: V. Lukichev, K. Rudenko
THE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2018 1-5 October 2018 Zvenigorod, Russian Federation
Chapters
Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D., , in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018Vol. 11022G.: SPIE, 2019. P. 1–6.
New SOS MOSFET design with the presence of high-resistance undoped silicon of intrinsic conductivity in the channel
region near the source was proposed. 0.75 μm SOS MOSFET with the use of an "insertion" makes it possible to obtain
the transistor with characteristics corresponding to a transistor with 0.5 μm topological channel length. This allows the
factories to produce ...
Added: November 30, 2019
Priority areas:
engineering science
Language:
English
Merzlinkin V., Khmelev A. V., Севрюков Д. О. et al., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 No. 3 P. 205–209
Laser communication using satellites represents a promising avenue for data transmission in geographically distant areas without advanced infrastructure. This approach is characterized by its high transmission rate and low power requirements, providing substantial benefits over optical fiber and radio communication. However, the optical channel should exhibit greater transparency for light transmission, resulting in a severely restricted application of this technique for information ...
Added: October 5, 2026
Дуплинский А. В., Khmelev A. V., Бахшалиев Р. М. et al., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 17 No. 3 P. 88–92
Quantum key distribution via satellites enables the technology to be applied attranscontinental scale; nevertheless, in contrast to fiber systems, using a free-space opticalcommunication channel presents certain extra technological obstacles. The contribution of theacquisition, pointing and tracking system’s operation to the potential quantum bit error valueis investigated in this research. The polarization extinction ratio measurements varying ...
Added: October 5, 2026
Miller A., Pismeniuk L., Дуплинский А. В. et al., EPJ QUANTUM TECHNOLOGY 2023 Vol. 10 No. 1 P. 52–72
A satellite-constellation based global quantum network could allow secure quantum
communication between remote users worldwide. Such a constellation could be
formed of micro- or even nanosatellites, which have the advantage of being more
cost-effective than larger expensive spacecrafts. At the same time, the features of
quantum communication impose a number of technical requirements that are more
difficult to meet when ...
Added: October 5, 2026
Серебренников Д. А., Belov A. V., Информационные технологии и вычислительные системы 2026 № 3 С. 157–169
В условиях роста стоимости энергоресурсов и необходимости повышения энергоэффективности производственных процессов особую актуальность приобретает задача оптимизации энергопотребления промышленных предприятий. В данной работе рассматривается подход к управлению энергозатратами машиностроительного предприятия на основе методов многокритериальной оптимизации. Постановка задачи включает несколько целевых функций: минимизацию энергопотребления, минимизацию стоимости электроэнергии с учётом тарифных ограничений и максимизацию производственной эффективности. Для решения ...
Added: October 5, 2026
Korobok M., Хлыстунов М. Е., Шемолин И. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2026 Т. 31 № S4.3 С. 473–486
The paper considers the task of implementing the control law for mass-produced power supplies based on an LLC converter. The aim of the study is to create a control law that allows meeting the requirements for the stability of the converter at various parameters of the resonant circuit and the output filter.
For the feedback of ...
Added: October 4, 2026
Zhukov A., Chen F., Zeng Y. et al., Nanoscale 2026 Vol. 18 No. 36 P. 19223–19253
Colloidal semiconductor nanocrystals have emerged as promising materials for next-generation light-emitting diodes (LEDs) owing to their solution processability, tunable emission wavelengths, narrow emission linewidths, and high photoluminescence quantum yields. Among them, anisotropic nanocrystals, including one-dimensional nanorods (NRs) and two-dimensional nanoplatelets (NPLs), offer additional opportunities for controlling transition dipole moment orientation and light out-coupling efficiency. These ...
Added: October 2, 2026
Ostovari Moghaddam A., Mehrabi-Kalajahi S., Solizoda I. A. et al., Metals and Materials International 2026 P. 1–9
Off-stoichiometric boron-doped chemically complex intermetallic alloys (CCIMAs) have recently emerged as a new avenue for overcoming the low temperature brittleness of ordered superlattices. However, their behavior at high temperatures remains unexplored. In this study, a novel (Ni39.6Co29.3Cr10Al15.8Ta3.3Nb2)98.5B1.5 CCIMA was prepared and its oxidation resistance over a wide temperature range (500 °C–950 °C) was studied. The ...
Added: October 1, 2026
Obraztsova Anna, Fominykh Nikita, Komarov Sergey et al., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 132110
Miniaturization of edge-emitting quantum-dot lasers is hampered by increased mirror losses in ultra-short Fabry–Perot cavities and limited modal gain of quantum dots (QDs). Here, we demonstrate electrically injected InGaAs/GaAs quantum-dot stripe lasers with an 8-lm stripe width and focused-ion-beam (FIB)-etched mirrors defining cavity lengths from 300 to 77 lm. The laser cavities were fabricated using ...
Added: September 30, 2026
Stukach O., Ершов И. А., Динамика систем, механизмов и машин 2025 Т. 13 № 3 С. 82–87
The growing complexity of modern urban infrastructure increased demands on the efficiency of heat supply, which must be ensured by the sustainable and efficient operation of supply organizations. Decrease in thermal comfort, or overspending of thermal energy is followed by bad quality of control. Systemically, the heat consumption of residential buildings on a city range ...
Added: September 30, 2026
М.: МИЭТ, 2021.
Микроэлектроника и информатика-2021 28-я всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов (Зеленоград, 29-30 апреля 2021 г.)., тезисы докладов / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Национальный исследовательский университет "МИЭТ". — Москва : МИЭТ, 2021. — 251 с.; 20. — ISBN 978-5-7256-0964-6. ...
Added: September 25, 2026
Войтович В. И., Makhov I., Мельниченко И. А. et al., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
The influence of cavity surface passivation with SiO2 coating deposited by the plasma-enhanced chemical vapor deposition technique is investigated for injection microdisk lasers with an InGaAsN/GaAs quantum well active region. The electroluminescence spectra of the microdisk lasers with cavity diameters ranging from 12 to 32 μm with and without sidewall surface passivation were studied for a ...
Added: September 25, 2026
Бабичев А. В., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Added: September 25, 2026
Бабичев А. В., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Added: September 25, 2026
Бабичев А. В., Makhov I., Kryzhanovskaya N. et al., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Added: September 25, 2026
Zhukov A., Wang Q., Zeng Y. et al., Nano Letters 2026 Vol. 26 No. 34 P. 11565–11572
Colloidal semiconductor nanorods (NRs) are promising room-temperature single-photon sources because of their
solution processability, tunable optical properties, and intrinsically linearly polarized emission. However, simultaneously achieving high photoluminescence quantum yield (PLQY), strong polarization, and high-purity single-photon emission remains challenging in conventional binary-shell NRs due to the competing requirements of
exciton confinement and core/shell lattice−strain management. Here, we report CdSe/CdZnS gradient alloy core/shell NRs with tunable ...
Added: September 23, 2026
СПб.: ВКАС им. Буденного, 2026.
В сборнике представлены статьи о результатах научных исследований и инновационных технических, технологических и методологических решений в области совершенствованию отечественных систем связи, автоматизации и информационной безопасности. ...
Added: September 23, 2026
Дюканов П. А., Kozhukhov M., Popov D. et al., Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника 2026 Т. 201 № 1 С. 28–34
The paper presents the results of device and process modeling of bipolar transistors on a silicon - silicon oxide - silicon structure. A comparison of the output characteristics of the models and transistor samples showed the high accuracy of the developed model. To improve the performance of eld-e ect transistors with a control p-n-junction, design ...
Added: September 17, 2026
Huang D., Chen Y., Luo X. et al., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Using self-consistent Bogoliubov-de Gennes calculations for kagome flakes framed by armchair
and flat edges, we observe a configuration-dependent spatial inhomogeneity of an 𝑠-wave superconducting
condensate. Specifically, at half-filling, the local pair potential is significantly enhanced
by up to 77.8% at edge centers and up to 148.9% at corners, subsequently boosting their
local critical temperatures by up to 13.5% and ...
Added: September 7, 2026
Denis K., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Added: September 6, 2026
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Denis K., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. et al., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
A model of quasistationary states is constructed for the one-dimensional edge states propagating along the edge of a two-dimensional topological insulator based on HgTe/CdTe quantum well in the presence of magnetic barriers with finite transparency. The lifetimes of these quasistationary states are found analytically and numerically via different approaches including the solution of the stationary ...
Added: September 6, 2026
Denis K., Dorokhin M. V., Ved M. V. et al., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
The GaAs/InGaAs quantum wells with a ferromagnetic δ〈Mn〉 layer in GaAs barrier demonstrate a set of interesting spin-related phenomena originating from Mn-hole interaction. One of such phenomena is a spin-memory effect which consists of Mn spin polarization induced by interaction with vicinity spin-polarized holes generated under the exposure by short circularly polarized light pulses. Here long Mn ...
Added: September 6, 2026