• A
  • A
  • A
  • ABC
  • ABC
  • ABC
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Regular version of the site
  • HSE University
  • Publications of HSE
  • Articles
  • Механизм и кинетика формирования структуры и травления тонких пленок фото- и электронорезистов при облучении ионами средних энергий

Article

Механизм и кинетика формирования структуры и травления тонких пленок фото- и электронорезистов при облучении ионами средних энергий

Григорьев Ф. И., Быков Д. В., Лысенко А. П., Строганкова Н. И.
Thin films of positive and negative electron-beam resists and positive photoresists were irradiated with B+ (100 keV) and P+ (150 keV) ions with fluences of 6·1012-1016 cm–2. Effect of a chemical structure of the resist on the efficiency of ion etching has been studied. On the base of IR-spectra analysis, the mechanism of radiation-induced structure formation in positive photoresists is ascertained.