• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

TCAD-model of betavoltaic battery with vertical micro trenches structure

P. 481-483.
Petrosyants K. O., Pugachev A., Kharitonov I. A., Dymov D.

Для эффективного проектирования кремниевых бетавольтаических конструкций с траншеями была разработана, проверена и применена оригинальная TCAD-модель. Стандартная модель оптической генерации TCAD «оптический луч» была принята для моделирования генерации электронных дырок при облучении бета-частицами в элементной структуре с вертикальными микроканавками шириной 5 мкм. Главныйпараметры бетавольтаической структуры с канавками моделировались в зависимости от легирования подложки и сравнивались с таковыми для обычной планарной бетавольтаической структуры.