• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Локально деформированные Ge структуры, встроенные в микрорезонаторы, как активная среда для кремниевой фотоники

С. 819-820.
Юрасов Д., Байдакова Н., Вербус В. А., Гусев Н., Морозова Е., Нежданов А., Новиков А., Скороходов Е., Шенгуров Д., Яблонский А.

Представлены результаты по формированию локально растянутых Ge микроструктур, встроенных в микрорезонатор. Исходные свободновисящие Ge структуры были получены с помощью метода “концентрации напряжений”. Схема формирования образцов была модернизирована для обеспечения теплоотвода от активной области структуры путем обеспечения механического контакта с нижележайшими слоями за счёт адгезии. Было показано, что в структурах, сформированных по модифицированной схеме, возможно значительное увеличение максимальной плотности оптической накачки без разрушения микроструктур от перегрева. Был рассчитан дизайн микрорезонатора на основе фрагментов сферических зеркал, совместимый с локально деформированными Ge микромостиками, и позволяющий добиться эффективной локализации электромагнитного поля в активной области структуры.

 

В книге

Т. 2. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2020.