• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Расширенный поиск
«Высшая школа экономики»
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
по году
Тематика
Новости
4 марта 2021
Кто следит за порядком в живой клетке – взгляд физиков
Итальянские и российские исследователи подтвердили гипотезу о том, что  самоподдерживающийся порядок в ядерной (эукариотической) клетке – результат совместного действия двух спонтанных механизмов. Одинаковые молекулы  собираются в «капли» на мембране, а затем отрываются от нее в форме крошечных пузырьков, обогащенных собравшимися вместе молекулами. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Physical Review Letters.
3 марта 2021
Большой адронный коллайдер – фабрика открытий новых адронов
Коллаборация одного из экспериментов Большого адронного коллайдера, LHCb, в которую входит также и группа ученых Высшей школы экономики, опубликовала сообщение об открытии новых тетракварков – экзотических адронов, состоящих из четырех кварков. Эти открытия стали возможны благодаря массивным выборкам данных, собранным экспериментом LHCb при помощи алгоритмов, разработанных в ВШЭ.
2 марта 2021
Как канцерофобия и отсутствие культуры общения врача с пациентами мешает борьбе с раком в России
Онкологические заболевания окутаны множеством мифов. Последствия заблуждений и слабой информированности плачевные — запущенные стадии заболевания, ранние смерти. Профилактика и ранняя диагностика рака должны стать рутинными практиками, считают участники круглого стола «От канцерофобии к онконастроженности», организованного в НИУ ВШЭ проектной группой «Онкология и дефициты агентности: автономные практики заботы россиян о себе в условиях кризиса биомедицины».

Глава

Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели

С. 291-294.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Пугачев А. А.

Представлена TCAD-модель кремниевого бетавольтаического элемента для исследования зависимости характеристик элемента от его объемной структуры. Для имитации результатов генерации электронно-дырочных пар при воздействии излучения от источника бета-частиц применяется настроенная  модель оптической генерации, имеющаяся в TCAD. Проведено исследование зависимости вольт-амперных характеристик бетавольтаического элемента от профиля легирующей примеси, температуры и типа полупроводникового материала для источника излучения Ni-63.

Язык: русский
Полный текст (PDF, 507 Кб)
DOI
Ключевые слова: бета частицыфотовольтаический эффектоптоэлектронный преобразователь
Публикация подготовлена по результатам проекта: Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения(2019)

В книге

Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели
Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули"
Под науч. редакцией: А. Сауров Т. 1. Вып. 96. Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020.
Похожие публикации
Оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с дифференциальной компенсацией погрешностей модулятора
Потомский С. Ю., Косинский А. В. Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника». 2013. № 4. С. 3-8.

Рассмотрен оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с дифференциальным способом компенсации погрешностей одноканального растрового модулятора, возникающих из-за нестабильностей темнового напряжения фотоприемника и уровня напряжения источника постоянного напряжения.

Добавлено: 3 мая 2013
Оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с автоматической синхронизацией амплитуд
Потомский С. Ю., Косинский А. В. Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника». 2013. № 9. С. 17-26.

Рассмотрена схема разработанного оптоэлектронного преобразователя перемещений во временной интервал с компенсацией погрешности преобразования, возникающей из-за нестабильности амплитуды генератора несущей частоты. Определена эффективность компенсации.

Добавлено: 29 ноября 2013
Оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с введением несущего сигнала в источник излучения
Потомский С. Ю., Косинский А. В. Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника». 2013. № 11. С. 21-26.

Предложен схемотехнический вариант оптоэлектронного преобразователя перемещений во временной интервал с введением несущего сигнала в источник излучения. Показано, что в разработанном устройстве скомпенсированы амплитудные погрешности, связанные с нестабильностью светового потока, а также погрешности одноканального растрового модулятора.

Добавлено: 27 декабря 2013