Светоизлучающие структуры для кремниевой оптоэлектроники на основе локально растянутых Ge микроструктур

С. 70–70.

Новиков А. В., Юрасов Д. В., Яблонский А. Н., Байдакова Н. А., Морозова Е. Е., Вербус В. А., Гусев Н. С., Шенгуров Д. В., Нежданов А. В., Машин А. И.

В последние годы Ge становится одним из ключевых материалов кремниевой фотоники. В частности значительные надежды связывают с применением деформированного (растянутого) Ge для решения проблемы создания на кремнии эффективного источника излучения ближнего ИК диапазона. В настоящей работе представлены результаты по формированию одноосно  деформированных Ge микроструктур и исследованию их спектров люминесценции

Ключевые слова: silicon photonics, near-IR radiation, кремневая фотоника, ИК диапазон

В книге

Тезисы Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019», 27-31 мая 2019 г., Новосибирск

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2019.