• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Формирование и исследование локально растянутых Ge микроструктур для кремниевой фотоники

С. 837-838.
Яблонский А., Вдовичев С., Вербус В. А., Володин Н., Гусев Н., Кудрявцев К., Машин А., Морозова Е., Нежданов А., Новиков А., Скороходов Е., Юрасов Д.

В работе представлены результаты по формированию растянутых Ge микроструктур на основе слоев Ge, выращенных методом МПЭ но подложках Si(001) и SOI, и исследованию их излучательных свойств. Свободновисящие Ge микромостики были получены методом оптической литографии, плазмохимического и селективного химического травления. Измерения локальной деформации методом микроскопии КРС показали увеличение деформации растяжения в Ge микромостиках до 3%. Мкетодом спектроскопии микро-ФЛ продемонстрировано значительное возрастание интенсивности и существенная модификация спектра ФЛ в области максимальных растягивающих напряжений в Ge микромостиках и их окресности по сравнению со слабо растянутыми участками исходных слоёв Ge.

В книге

Формирование и исследование локально растянутых Ge микроструктур для кремниевой фотоники
Т. 2: секция 3. Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018.