• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролётными эффектами

С. 648-649.
Козлов В., Павельев Д., Вербус В. А., Оболенский С., Оболенская Е.

В работе были рассмотрены туннельные контакты для устройств терагерцового диапазона частот. На основе квантовой модели транспорта электронов был рассчитан дизайн гетероструктур, который позволит повысить быстродействие та-ких устройств

 

В книге

Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролётными эффектами
Т. 2: секция 3. Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018.