Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролётными эффектами

Козлов В. А.; Павельев Д. Г.; В. А. Вербус; Оболенский С. В.; Оболенская Е. С.

АБВ
АБВ
АБВ

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

Новости

17 июня 2026 г.

Биоинформатики НИУ ВШЭ обнаружили 20 опасных мутаций в гене, связанном с легочной артериальной гипертензией

Ученые НИУ ВШЭ совместно с коллегами из российских университетов выяснили, какие мутации в гене ACVRL1 опасны для пациентов с легочной артериальной гипертензией. Они смоделировали, как изменения в гене влияют на связывание АТФ с белком — процесс, от которого зависит передача сигналов, необходимых для работы сосудов. Оказалось, что 20 из 32 вариантов могут нарушать передачу сигнала и провоцировать болезнь. Результаты опубликованы в Journal of Structural Biology.

17 июня 2026 г.

Интеллектуальная робототехника: кадровый голод и масса возможностей

Пока на рынке мало кадров, способных заниматься разработкой интеллектуальных робототехнических систем. Между тем именно к этому идет робототехника. Как учат ее проектированию и каково будущее отрасли, в интервью IQ Media рассказал заведующий Проектно-учебной лабораторией робототехники НИУ ВШЭ Вадим Моргачев.

17 июня 2026 г.

Каким должно быть образование, чтобы готовить кадры для экономики будущего

Эти вопросы обсудят на форуме HR EXPO PRO ЛЮДЕЙ, который состоится 18-19 июня в Москве. В его работе примет участие ректор НИУ ВШЭ Никита Анисимов, федеральные министры, HR-директора компаний, ректоры вузов, эксперты. На форуме будет представлен стенд, посвященный программам ДПО НИУ ВШЭ.

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации

?

Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролётными эффектами

С. 648–649.

Козлов В. А., Павельев Д. Г., Вербус В. А., Оболенский С. В., Оболенская Е. С.

В работе были рассмотрены туннельные контакты для устройств терагерцового диапазона частот. На основе квантовой модели транспорта электронов был рассчитан дизайн гетероструктур, который позволит повысить быстродействие та-ких устройств

Язык: русский

Полный текст

Текст на другом сайте

Ключевые слова: tunnel contact туннельный контакт

В книге

Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и Наноэлектроника» 2018 г., Нижний Новгород

Т. 2: секция 3. , Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018.

Single-particle states spectroscopy in individual carbon nanotubes with an aid of tunneling contacts

Матюшкин Я. Е., Moskotin M., Rogov Y. и др., Applied Physics Letters 2022 Vol. 120 No. 8 Article 083104

Добавлено: 28 февраля 2022 г.

Локальные и интегральные свойства квазиодномерного сверхпроводника в режиме квантовых флуктуаций параметра порядка

Арутюнов К. Ю., Лехтинен Я. С., Трефилов Д. О. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1233–1237

Использование сверхпроводящих материалов для наноэлектронных устройств нового поколения представляется крайне заманчивым с точки зрения отсутствия диссипации энергии при протекании электрического тока. Однако в системах малых размеров роль флуктуаций может быть весьма существенной. В работе экспериментально и теоретически исследовались транспортные свойства тонких сверхпроводящих нанополосок из титана. Удалось показать, что квантовые флуктуации параметра порядка различным образом влияют на интегральные и ...

Добавлено: 24 октября 2021 г.

Сверхпроводящие микроструктуры с высоким импедансом

Шеин К. В., Заруднева А. А., Емельянова В. О. и др., Физика твердого тела 2020 Т. 62 № 9 С. 1375–1378

При сверхнизких температурах были исследованы транспортные свойства двух типов квазиодномерных сверхпроводящих микроструктур: тонкие каналы, плотно упакованные в форме меандра, и цепочки туннельных контактов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник. Оба типа микроструктур продемонстрировали высокое значение высокочастотного импеданса и/или динамического сопротивления. Исследование открывает возможность использовать такие структуры в качестве стабилизирующих ток балластных элементов с нулевой величиной диссипации. ...

Добавлено: 21 июля 2020 г.