• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Исследование моделей интенсивности отказов полупроводниковых приборов

С. 182-185.
Артюхова М. А., Полесский С. Н.

Проведено исследование моделей интенсивности отказов для диода Д231 по различным нормативным документам. Cделан вывод о причинах расхождения результатов расчета интенсивности отказов в зависимости от выбранной модели.