• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Фотоэмиссия неравновесных носителей заряда в высокоомный полупроводник при локальном освещении

С. 195-199.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И., Белов А. Г.

Исследована фотоэмиссия неравновесных носителей заряда в высокоомный арсенид галлия. Установлено, что освещение даже небольшой локальной области образца, расположенной вдалеке от контактов, влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводитость кристалла. На люкс-амперных зависимостях наблюдается линейный участок, угловой коэффициент которого пропорционален диаметру освещаемой поверхности. Предложена модель, качественно объясняюшая полученные экспериментальные результаты.