• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Найдены 152 публикации
Сортировка:
по названию
по году
Статья
Попель С. И., Голубь А. П., Захаров А. В. и др. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2018. Т. 108. № 6. С. 379-387.

Рассмотрена природа возникновения двух плазменно-пылевых облаков в результате удара метеороида о поверхность Луны. Показано, что одно из облаков сформировано частицами (или обломками) реголита, выбрасываемого ударной волной метеороидного удара с лунной поверхности в свободное пространство, тогда как второе - затвердевшими каплями расплава. Проведены вычисления основных характеристик этих облаков: скоростей расширения облаков, характерных размеров частиц в каждом из облаков, концентраций частиц, их зарядов и т.д. Получено качественное соответствие данным наблюдений, полученных в расчетах скоростей расширения облаков.

Добавлено: 1 ноября 2018
Статья
Аветисов В. А., Иванов В. А., Мешков Д. А. и др. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2013. Т. 98. № 4. С. 270-274.

Фрактальная (складчатая) глобула, которая является необычным равновесным состоянием конденсированной незаузленной макромолекулы, экспериментально обнаруженным в укладке ДНК в хромосомах человека, сформирована путем иерархического коллапса полимерной цепи. Исследована релаксационная динамика эластичной сети, построенной по матрице контактов фрактальной глобулы. Обнаружено, что по своим динамическим свойствам фрактальная глобула подобна молекулярной машине.

Добавлено: 22 ноября 2013
Статья
Пудалов В. М., Гершензон М. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2020. Т. 111. № 4. С. 237-241.

При измерении осциллирующего магнитосопротивления в двумерной системе в Si-MOS структурах в слабом перпендикулярном магнитом поле мы обнаружили, что квантовые осцилляции наблюдаются вплоть до критической электронной концентрации nc перехода в режим сильной локализации. При столь малых концентрациях осцилляции имеют ожидаемый период, фазу и амплитуду, несмотря на то, что значение проводимости становится менее e2/h, и, следовательно, длина пробега становится менее \lambda_F. Это кажущееся противоречие с критерием диффузионного транспорта Иоффе–Регеля, на наш взгляд, объясняется возникновением неоднородного состояния 2D системы, в котором области с диффузионной и прыжковый проводимостью оказываются пространственно разделены

Добавлено: 13 мая 2020
Статья
Коваленко С. Л., Павлова Т. В., Андрюшечкин Б. В. и др. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2017. Т. 105. С. 170-174.

Методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и теории функционала плотности (ТФП) изучен процесс термопрограммируемого синтеза графена из молекул пропилена на поверхности Ni(111) в условиях сверхвысокого вакуума. Установлено, что на атомных террасах Ni(111) адсорбция пропилена при комнатной температуре приводит к дегидрированию молекул пропилена с формированием одноатомных углеродных цепочек, а на краях атомных ступеней – к полной диссоциации пропилена с последующей диффузией атомов углерода под поверхность. Прогрев такого образца при 500 °С вызывает формирование монослойных островков графена как из поверхностных атомных цепочек, так и путем сегрегации атомов углерода, накопленных в верхних атомных слоях никеля. Контролируемым образом удается проследить процесс формирования эпитаксиального монослоя графена вплоть до полного заполнения поверхности никеля. Атомные дефекты, наблюдаемые на поверхности графена, интерпретированы как отдельные атомы никеля, внедренные в моно- или бивакансии графена.

Добавлено: 7 декабря 2020
Статья
Коваленко С., Т.В. Павлова, Б.В. Андрюшечкин и др. Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2017. Т. 105. С. 170-174.

Методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и теории функционала плотности (ТФП) изучен процесс термопрограммируемого синтеза графена из молекул пропилена на поверхности Ni(111) в условиях сверхвысокого вакуума. Установлено, что на атомных террасах Ni(111) адсорбция пропилена при комнатной температуре приводит к дегидрированию молекул пропилена с формированием одноатомных углеродных цепочек, а на краях атомных ступеней – к полной диссоциации пропилена с последующей диффузией атомов углерода под поверхность. Прогрев такого образца при 500 °С вызывает формирование монослойных островков графена как из поверхностных атомных цепочек, так и путем сегрегации атомов углерода, накопленных в верхних атомных слоях никеля. Контролируемым образом удается проследить процесс формирования эпитаксиального монослоя графена вплоть до полного заполнения поверхности никеля. Атомные дефекты, наблюдаемые на поверхности графена, интерпретированы как отдельные атомы никеля, внедренные в моно- или бивакансии графена.

Добавлено: 26 февраля 2018