• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Найдены 4 публикации
Сортировка:
по названию
по году
Статья
Chesnokov Y., Vasiliev A., Prutskov G.V. et al. Thin solid films. 2017. Vol. 632. P. 79-87.
Добавлено: 11 мая 2017
Статья
Bondarenko G.G., Andreev V. V., Maslovsky V. M. et al. Thin solid films. 2003. Vol. 427. No. 1-2. P. 377-380.

It has been shown that both RF plasma and plasma-jet treatments lead to electron traps formation in the bulk of SiO2 films. As a result it is possible to increase breackdown voltage of MOS structure when breakdown probability is being decreased significantly.

Добавлено: 21 ноября 2013
Статья
Kryzhanovskaya N., Moiseev E. Thin solid films. 2019. Vol. 672. P. 109-113.
Добавлено: 29 сентября 2020
Статья
Bondarenko G., Andreev V. V., Drach V. E. et al. Thin solid films. 2006. Vol. 515. No. 2. P. 670-673.
Добавлено: 30 января 2014