?
Single-Mode High-Speed 1550 nm Wafer Fused VCSELs for Narrow WDM Systems
IEEE Photonics Technology Letters. 2023. Vol. 35. No. 6. P. 297–300.
Babichev A., Blokhin S., Gladyshev A., Karachinsky L., Novikov I., Blokhin A., Bobrov M., Maleev N., Andryushkin V., Kolodeznyi E., Denisov D., Крыжановская Н. В., Voropayev K., Ustinov V., Egorov A., Li H., Tian S. -., Han S., Sapunov G., Bimberg D.
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Neuberger A., Veretenenko I. I., Shalygin A. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 P. 1–13
Добавлено: 7 ноября 2026 г.
Kupavskii S. A., Malikov R. O., Dyakov S. A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 129 Article 161105
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Баева Э. М., Titova N. A., Kirsanova M. A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 19 Article 194513
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Мы разрабатываем теоретико-полевое описание взаимодействия Казимира при конечной температуре между двумя идеально проводящими границами, разделенными промежутком, заполненным двухкомпонентной квантовой больцмановской плазмой, погруженной в однородную диэлектрическую среду. Квантовое движение заряженных частиц представлено в виде мировых линий в мнимом времени, а электромагнитное поле рассматривается в гауссовом приближении. Полученная статистическая сумма содержит отдельные вклады продольных и поперечных откликов, ...
Добавлено: 6 ноября 2026 г.
Алексеев О. В., Letters in Mathematical Physics 2026 Vol. 116 No. 5 Article 132
Добавлено: 5 ноября 2026 г.
Elena R. Loubenets, Sergey Kuznetsov, Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 358
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Поддьяков А. Н., Integrative Psychological and Behavioral Science 2026 Vol. 60 No. 4 P. 1–50
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
Obraztsova A. A., Voitovich V. I., Derkach N. N. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 24–28
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Komarov S. D., Masyutin D. A., Moiseev E. I. и др., Journal of Luminescence 2027 Vol. 301 Article 122266
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Пиле Я. Э., Щур Л. Н., Nuclear Physics B 2026 No. 0550-3213 Article 117706
Добавлено: 1 ноября 2026 г.
Nikitiuk B., Lenev D., Писарев В. В. и др., Journal of Colloid and Interface Science 2026 Vol. 718 Article 140444
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Deshchenya V., Nikolay D. Kondratyuk, Sivakova A. и др., Chemical Engineering Sciences 2027 Vol. 337 Article 124616
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Zubov A., Zubov A., Малявко, Я. и др., Computer Physics Communications 2025 Vol. 317 Article 109860
Добавлено: 28 октября 2026 г.
Каган М. Ю., / Series Series "arxiv org" 2610.31805 "cond-mat other "arxiv org" 2610.31805". 2026. No. 2610.31805.
Аннотация Низкоэнергетические плазмонные свойства свободностоящего монослоя золота Au (1,1,1) изучены с помощью зависящей от времени теории функционала плотности (DFT) в приближении хаотических фаз (ПХФ). При первопринципном вычислении диэлектрической функции и функции диэлектрических потерь используется зонная структура, характеризуемая одной s-p энергетической зоной, выходящей на уровень Ферми. В этой системе с простой зонной структурой наши вычисления ...
Добавлено: 27 октября 2026 г.
Alexander S. Rabinowitch, International Journal of Modern Physics A 2026 Vol. 41 No. 30 Article 2650168
Добавлено: 26 октября 2026 г.
D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 23 октября 2026 г.
Shugabaev T., Gridchin V., Ivan A. Melnichenko и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2025 Vol. 19 No. 4 Article 2400296
Добавлено: 15 ноября 2024 г.
Tikhonova M., Maslov N., Баширзаде А. А. и др., Pharmaceutics 2022 Vol. 14 No. 8 Article 1751
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Блохин С. А., Бабичев А. В., Карачинский Л. Я. и др., Квантовая электроника 2022 Т. 52 № 10 С. 878–884
Представлены результаты исследований характеристик вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1550 нм с активной областью на основе квантовых ям InGaAs, реализованных в рамках технологии спекания пластины. Токовое и оптическое ограничения обеспечиваются заращенным туннельным переходом n+/p+-InAlGaAs. В широком диапазоне температур лазеры с диаметром мезы заращенного туннельного перехода 7 мкм продемонстрировали эффективную одномодовую генерацию с фактором подавления боковых мод ...
Добавлено: 4 января 2023 г.
Крыжановская Н. В., Likhachev A. I., Блохин С. А. и др., Laser Physics Letters 2022 Vol. 19 No. 7 Article 075801
В данной работе мы сообщаем о монолитном длинноволновом лазере поверхностного излучения с вертикальным резонатором на основе GaAs с донным GaAs/AlGaAs распределенным брэгговским отражателем (РБО), метаморфным оптическим резонатором с In0,41Ga0,59As/In0,25Ga0,75As-активной областью, обеспечивающей излучение вблизи 1,3 мкм с высоким модальным оптическим усилением и лучшими диэлектрическими РБО SiO2/Ta2O5. Мы достигаем непрерывной одномодовой генерации при комнатной температуре с оптической накачкой. ...
Добавлено: 4 октября 2022 г.