Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method

I.A. Melnichenko; A.M. Nadtochiy; K.A. Ivanov; I.S. Makhov; Maximov M. V.; Mintairov S. A.; Kalyuzhnyy N. A.; N.V. Kryzhanovskaya; A. Zhukov

doi:10.18721/JPM.161.103

?

Time-resolved photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum well-dots with upconversion method

St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.1. P. 22–27.

I.A. Melnichenko, A.M. Nadtochiy, K.A. Ivanov, I.S. Makhov, Maximov M. V., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., N.V. Kryzhanovskaya, Жуков А. Е.

Научное направление: Физика Нанотехнологии

Язык: английский

Полный текст

DOI

Текст на другом сайте

Ключевые слова: Quantum well-dots InGaAs Heterostructures квантовые яма-точки time-resolved photoluminescence время-разрешенная фотолюминесценция InGaAs гетероструктуры

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Исследование характеристик микро- и нанолазеров на основе полупроводниковых гетероструктур А3В5 различной квантовой размерности (2023)

Spectral structure of the mixed Hessian of the dispersionless Toda τ-function

Алексеев О. В., Letters in Mathematical Physics 2026 Vol. 116 No. 5 Article 132

Добавлено: 5 ноября 2026 г.

Modelling optimal implementation of an arbitrary N-qubit quantum gate within the generalized Bloch vectors formalism

Elena R. Loubenets, Sergey Kuznetsov, Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 358

Добавлено: 3 ноября 2026 г.

Gerstner gravity-capillary waves and their collapse mode

Абрашкин А. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 No. 8 Article 083624

Добавлено: 3 ноября 2026 г.

Vague Stimulating Ideas, Images and Metaphors in Scientific Thinking: Researchers’ Work with Horizons of Unclear Knowledge

Поддьяков А. Н., Integrative Psychological and Behavioral Science 2026 Vol. 60 No. 4 P. 1–50

Добавлено: 3 ноября 2026 г.

Microdisk lasers with a bridge contact pad formed by wet chemical etching

Obraztsova A. A., Voitovich V. I., Derkach N. N. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 24–28

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Injection edge-emitting microlasers with InGaAs/GaAs quantum dot active region

Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Excitation-dependent photoluminescence and room-temperature whispering gallery mode lasing in InGaN/GaN microdisks on sapphire

Komarov S. D., Masyutin D. A., Moiseev E. I. и др., Journal of Luminescence 2027 Vol. 301 Article 122266

Добавлено: 2 ноября 2026 г.

Algorithmic overlaps in the Baxter–Wu model: cluster dynamics under Novotny–Evertz updates

Пиле Я. Э., Щур Л. Н., Nuclear Physics B 2026 No. 0550-3213 Article 117706

Добавлено: 1 ноября 2026 г.

Molecular dynamics and machine learning insights into oil-brine interfacial tension: Uncovering roles of dissolved gases and salinity

Nikitiuk B., Lenev D., Писарев В. В. и др., Journal of Colloid and Interface Science 2026 Vol. 718 Article 140444

Добавлено: 28 октября 2026 г.

Predicting multi-component oil viscosity using machine learning methods

Deshchenya V., Nikolay D. Kondratyuk, Sivakova A. и др., Chemical Engineering Sciences 2027 Vol. 337 Article 124616

Добавлено: 28 октября 2026 г.

PARSE: Physical attribute representativity and stationarity evaluator open-source library for 3D images using scalar and vector metrics

Zubov A., Zubov A., Малявко, Я. и др., Computer Physics Communications 2025 Vol. 317 Article 109860

Добавлено: 28 октября 2026 г.

Low-energy collective excitations in a gold monolayer, Vyacheslav Silkin and Maxim Kagan Working papers by Cornell University Series cond-mat other “arxiv org” 2610. 31805 22 Oct. 2026

Каган М. Ю., / Series Series "arxiv org" 2610.31805 "cond-mat other "arxiv org" 2610.31805". 2026. No. 2610.31805.

Аннотация Низкоэнергетические плазмонные свойства свободностоящего монослоя золота Au (1,1,1) изучены с помощью зависящей от времени теории функционала плотности (DFT) в приближении хаотических фаз (ПХФ). При первопринципном вычислении диэлектрической функции и функции диэлектрических потерь используется зонная структура, характеризуемая одной s-p энергетической зоной, выходящей на уровень Ферми. В этой системе с простой зонной структурой наши вычисления ...

Добавлено: 27 октября 2026 г.

From frozen Coulomb decoherence to thermalization: Classical and quantum density-matrix routes to Balescu–Lenard and Landau kinetics

Будков Ю. А., Annals of Physics 2026 Vol. 495 No. 3 Article 170796

Добавлено: 26 октября 2026 г.

On non-Abelian waves repeatedly changing sign at constant phases

Alexander S. Rabinowitch, International Journal of Modern Physics A 2026 Vol. 41 No. 30 Article 2650168

Добавлено: 26 октября 2026 г.

Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator

D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414

Добавлено: 23 октября 2026 г.

Stress tensor in fundamental measure theory of hard-sphere fluids: A thermomechanical approach

Будков Ю. А., Каликин Н. Н., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 16 Article 164108

Добавлено: 22 октября 2026 г.

Отсутствие отражения фонон-поляритона от края металлической маски на поверхности SiC

Ивченко В. С., Иевлева В. А., Матиенко Д. А. и др., Журнал технической физики 2026 № 9 С. 1738–1749

Задача о возбуждении бегущих фонон-поляритонных волн на поверхности полярного кристалла падающей извне световой волной (с частотой, близкой к частоте решеточных колебаний) решена теоретически только для бесконечной открытой поверхности кристалла. В случаях, когда часть поверхности покрыта металлической маской, препятствующей проникновению возбуждающего излучения к атомам среды, и эта маска имеет произвольную форму, общепризнанного решения неоднородной задачи нет. ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Исследование движения сферического фронта клеток в вязком матриксе: роль клеточных делений и взаимодействия клеток с матриксом при развитии опухолей

Логвенков С. А., Известия РАН. Механика жидкости и газа 2026 № 3 С. 59–75

Решена задача об эволюции объемной концентрации клеток в сферическом агрегате, состоящем из клеток, внеклеточного матрикса и жидкости. Агрегат окружен внеклеточным матриксом. Постановка задачи использует разработанную автором ранее модель многофазной биологической сплошной среды, образованной двумя активно взаимодействующими твердыми фазами и жидкостью. Исследовано распространение сферического фронта клеток в вязком матриксе в результате деления клеток и активных взаимодействий клеток с ...

Добавлено: 20 октября 2026 г.

Digital InGaAs/InAlAs short-period superlattices intended for 1.3-μm InP-lasers

V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936

Добавлено: 8 июля 2026 г.

Hybrid Nature of Metastable Nonradiative Recombination Centers in Perovskites: Merging Shallow and Deep Defect States

Тарасевич А. О., Li J., Князева М. А. и др., PRX Energy 2025 Vol. 4 No. 2 Article 023005

Добавлено: 30 апреля 2025 г.

Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью

Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27

Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...

Добавлено: 25 февраля 2025 г.

Mode leakage into substrate in microdisk lasers

I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216

Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Far-field patterns and lasing threshold of limaçon − and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots

Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек

Харченко А. А., Надточий А. М., Шерняков Ю. М. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 313–317

В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990−1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах ...

Добавлено: 24 октября 2024 г.