?
Thermal characteristics of III-V microlasers bonded onto silicon board
St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 2023. Vol. 16. No. 1.2. P. 108–113.
A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, E. I. Moiseev, A.M. Nadtochiy, N.A. Fominykh, K.A. Ivanov, M.V. Maximov, Vorobyev A. A., Mozharov A. M., Kalyuzhnyy N. A., Mintairov S. A., Gordeev N. Y., Guseva Y. A., Kulagina M. M., A.E. Zhukov
Ключевые слова: thermal resistancemicrolaserмикролазерыQuantum well-dotsтермосопротивлениеквантовые яма-точки
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
С помощью молекулярно-динамического моделирования были изучены структурные свойства нематических жидких кристаллов (ЖК) на основе пентилцианобифенила (5CB) и пентилоксицианобифенила (5OCB), легированных наночастицами золота (НЧЗ) разного количества, формы и размера. В жидкие кристаллы на основе цианобифенила 5CB и 5OCB были добавлены сферические НЧЗ двух разных радиусов и стержнеобразные НЧЗ. Для описания структурных свойств цианобифениловых нематических жидких кристаллов, ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Поддьяков А. Н., / Series Social Science Research Network "Social Science Research Network". 2026. No. 7437658.
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Борщевский А. Я., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 9 P. 4793–4803
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
P. M. Marychev, A. A. Shanenko, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Масютин Д. А., Моисеев Э. И., Комаров С. Д. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 7 С. 27–30
Исследованы инжекционные полупроводниковые микролазеры с кольцевым резонатором радиусом 15 мкм с несимметричным расположением внутреннего отверстия резонатора. Показано, что асимметрия обеспечивает формирование в диаграмме направленности двух лепестков излучения, разориентированных на 50° относительно оси смещения внутреннего отверстия. Измеренная добротность резонаторов сопоставима с добротностью дисковых резонаторов и находится на уровне ∼ 10^6. ...
Добавлено: 18 мая 2026 г.
Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208
Добавлено: 23 марта 2026 г.
Ivan Melnichenko, Shugabaev T., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 21 P. 6819–6822
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35
Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Образцова А. А., Пивоварова А. А., Комаров С. Д. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 1 С. 37–42
Представлен подход к созданию микролазеров с квантовыми точками на подложках GaAs с дисковым резонатором, электрическим контактом мостикового типа и опорной мезой, сформированными методом жидкостного химического травления. Мостиковая конструкция представляет собой две соединенные подвешенной золотой балкой мезаструктуры, одна из которых является, собственно, микродисковым резонатором, а вторая служит для создания вынесенного электрического контакта. Предложенный метод открывает пути ...
Добавлено: 26 мая 2025 г.