• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Two-temperature molecular dynamics simulations of crystal growth in a tungsten supercooled melt
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
30 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург нашли способ ускорения нейросетей при помощи микролазеров
Ученые Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук Шаньдунь (Китай) смогли напрямую сопоставить скорость микродисковых лазеров, работающих от оптической и электрической энергии. Результаты позволят оптимизировать работу источников излучения в фотонных чипах для нейросетей и дата-центров. Исследование опубликовано в журналеJournal of Lightwave Technology.
30 сентября 2026 г.
ВШЭ создала веб-приложение для оценки эффекта биочар-проектов
Центр цифровых технологий для природно-климатических проектов НИУ ВШЭ разработал веб-приложение для предварительной оценки проектов по производству биочара из растительных остатков и его внесению в почву. Инструмент позволяет рассчитать потенциальный объем производства биочара и углеродных единиц, определить необходимую площадь сельскохозяйственных земель, оценить объем инвестиций и ожидаемый экономический эффект проекта.
30 сентября 2026 г.
«Нужно быть готовым отстаивать свою позицию перед более опытными исследователями»
Татьяна Багриновцева занялась нейробиологией, потому что интересовалась устройством человеческого мозга. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала о новой методике маркировки нейронов, работе с клеточными культурами и о любимом месте в Самаре — городской набережной.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Two-temperature molecular dynamics simulations of crystal growth in a tungsten supercooled melt

Journal of Physics: Condensed Matter. 2022. Vol. 35. No. 1. Article 015401.
Joás Grossi, Писарев В. В.
Научное направление: Физика
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: tungstenmetallic glasses crystal growthTTM-MDliquid-crystal interface
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Новые технологии суперкомпьютерного молекулярного моделирования в физике материалов и живых систем (2023)
Похожие публикации
Speed-up of Langmuir instability at large scales when the wave scattering is significant
Вергелес С. С., Воинцев И. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 P. 024117-1–024117-8
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Surface acoustic wave enabled all-optical determination of the interlayer elastic constants of a van der Waals interface
Frolov N. Y., Klokov A. Y., Sharkov A. I. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 P. 092201-1–092201-5
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
InGaAsN/GaAs quantum-well-based microlasers improved by PECVD SiO2 passivation
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Микролазеры с распределенными брэгговскими отражателями Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Одночастотная генерация лазеров на основе вертикального микрорезонатора при комнатной температуре
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Высокодобротные планарные микрорезонаторы, обеспечивающие генерацию при комнатной температуре
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Critical dynamics of conformational exchange in a nearcritical solvent: A statistical-mechanical three-mode theory
Будков Ю. А., Kiselev M. G., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 12 Article 124508
Добавлено: 24 сентября 2026 г.
Room temperature microlasers based on quasi-planar geometry
Крыжановская Н. В., Махов И. С., Драгунова А. С., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 19 No. 1.1 P. 98–104
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Plasma excitations in thin-film NbN probed by terahertz spectroscopy
Андреева С. А., Gavrilov A. A., Dzhikirba K. R. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 134515
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Thermo-optically tuned single-mode limaçon microlaser on quantum-dots
Образцова А. А., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2026 Vol. 59 No. 30 P. 305103
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Exact screening constraints for theories of inhomogeneous electrolytes: Generalized Stillinger–Lovett relations and a nonlinear Ward hierarchy
Будков Ю. А., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 12 Article 124105
Добавлено: 22 сентября 2026 г.
Особенности взаимодействия мощного импульсного лазерного излучения с материалами вакуумной камеры термоядерного реактора
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Коршунов С. Н. и др., Перспективные материалы 2026 № 10 С. 37–54
Проведено сравнение, обобщение и систематизация механизмов эрозии и разрушения поверхности малоактивируемых материалов, перспективных для использования в качестве материалов вакуумной камеры термоядерных реакторов: ванадия, его сплава V – 10 Ti – 6 Cr – 0,05 Zr – 0,1 Si и вольфрама при последовательном воздействии на них ионных и тепловых потоков. Тепловые потоки имитировали с помощью мощного импульсного лазерного излучения (ЛИ), создаваемого ...
Добавлено: 22 сентября 2026 г.
DOUBLE-RESONANCE RESPONSE OF A SUPERCONDUCTING QUANTUM METAMATERIAL: MANIFESTATION OF NONCLASSICAL STATES OF PHOTONS
Iontsev M.A., Mukhin S. I., Fistul M. V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2016 Vol. 94 No. 17 P. 174–510
Добавлено: 22 сентября 2026 г.
Interaction-limited conductivity of twisted bilayer graphene revealed by giant terahertz photoresistance
Shilov A. L., Elesin L., Kravtsov M. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 Article 9734
Добавлено: 20 сентября 2026 г.
Influence of Pulsed Laser Radiation on the Morphology and Surface Properties of Tungsten Implanted with Helium Ions
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и свойства поверхности вольфрама, имплантированного ионами гелия
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Коршунов С. Н. и др., Вопросы атомной науки и техники. Термоядерный синтез 2025 Т. 48 № 3 С. 135–146
Проведено исследование влияния мощного импульсного лазерного излучения (ЛИ), создаваемого в установке ГОС 1001 в режиме модулированной добротности с плотностью мощности потока, равной 1,0·1014 Вт/м2, длительно-стью импульса t = 50 нс, числом импульсов N от 1 до 8 на структуру и микротвёрдость поверхности образцов вольфрама, размещённых в вакуумной камере. Образцы облучены в исходном состоянии и после ...
Добавлено: 26 декабря 2025 г.
The Impact of Pulsed Helium Ion-Plasma Flows and Electron Beams Generated in the Plasma Focus Device on a Tungsten Single Crystal
Pimenov V. N., Borovitskaya I. V., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2025 Vol. 16 No. 6 P. 1863–1873
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Особенности повреждаемости поверхностных слоев монокристаллического вольфрама под воздействием мощных импульсных потоков ионов гелия и плазмы
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Масляев С. А. и др., Металлы 2025 № 4 С. 93–103
Проведено исследование структурного состояния и микротвердости поверхностного слоя образцов монокристаллического вольфрама после воздействия импульсными потоками ионов He+ и гелиевой плазмы, генерируемыми в установке Плазменный фокус «Вихрь» (ИМЕТ РАН). Параметры облучения: плотность мощности плазмы 108 Вт/см2 и ионов 2·109 Вт/см2 при длительности воздействия плазмы и ионов 100 и 20 нс соответственно; число импульсных воздействий 15; энергия ионов гелия ~100 кэВ; ...
Добавлено: 10 октября 2025 г.
Damage of the Tungsten Surface Layer under Irradiation by Steady-State Ion and Pulsed Beam-Plasma Helium Fluxes
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2025 Vol. 88 No. 1 P. S67–S78
Добавлено: 22 июля 2025 г.
Повреждение поверхностного слоя вольфрама при облучении стационарными ионными и импульсными пучково-плазменными потоками гелия
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Коршунов С. Н. и др., Вопросы атомной науки и техники. Термоядерный синтез 2024 № 3 С. 79–92
Проведены сравнительные исследования повреждаемости поверхности вольфрама при облучении стационарными потоками ионов гелия и импульсными потоками ионов гелия и гелиевой плазмы в ионно-лучевом ускорителе ИЛУ и в установке Плазменный фо-кус (ПФ) «Вихрь». Параметры облучения стационарными потоками ионов He+ в ИЛУ: энергия ионов гелия 30 кэВ, дозы 1,0·1018 и 2,0·1018 см–2, температура мишеней в процессе облучения не ...
Добавлено: 29 октября 2024 г.
Synthesis and crystal growth of novel layered bismuthides ATM2Bi2 (A=K, Rb, Cs; TM=Zn, Cd), electron-deficient compounds with the ThCr2Si2 structure
Shilov A. I., Pervakov K. S., KonstantinA. Lyssenko и др., Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 2023 Vol. 649 No. 6-7 Article e202200298
Добавлено: 23 октября 2023 г.
Rational Screening of Cocrystals using Thermal Analysis: Benchmarking on Energetic Materials
Муравьев Н. В., Ферштат Л. Л., Далингер И. Л. и др., Crystal Growth & Design 2022 Vol. 22 No. 12 P. 7349–7362
Добавлено: 2 ноября 2022 г.
Weak Antiferromagnetic Exchange and Ferromagnetic Alignment of FeII (S=2) Spins in Differently Charged {HAT ⋅ (FeIICl2)3}n (n=2- and 3-) Assemblies of Hexaazatriphenylenes (HAT)
Mikhailenko M., Salavat S. Khasanov, Shestakov A. и др., Chemistry - A European Journal 2022 Vol. 28 No. 10 Article e202104165
Добавлено: 22 октября 2022 г.
Magnetic Exchange through the Dianionic Hexaazatrinaphthylene (HATNA) Ligand in {HATNA(FeIICl2)3}2− Containing FeII (S=2) Triangles
Konarev D., Salavat S. Khasano, Mikhailenko M. и др., European Journal of Inorganic Chemistry 2021 Vol. 2021 No. 1 P. 86–92
Добавлено: 22 октября 2022 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору