?
X‐rays in diamond photonics: a new way to control charge states of color centers
Эта работа посвящена исследованию взаимодействия рентгеновских лучей с центрами окраски в алмазе. Рентгеновские лучи обладают высокой проникающей способностью излучения, что позволяет проводить беспрепятственные модификации глубоко в объеме кристаллов алмаза. Здесь мы показываем, что облучение алмаза рентгеновскими лучами может изменить зарядовые состояния его дефектов, включая центры окраски кремний-вакансия (SiV) и азот-вакансия (NV). При изучении низкотемпературных спектров поглощения показано, что отрицательно заряженные центры SiV0 и NV0 частично переходят в нейтрально заряженные центры SiV0 и NV0 соответственно. Кроме того, мы зарегистрировали новые линии поглощения, которые могут принадлежать другим зарядовым состояниям центров окраски. Полученные результаты открывают новый путь для изучения зарядового состояния дефектов в различных кристаллах (не ограничиваясь алмазом), а также позволяют контролировать зарядовое состояние центров окраски для квантовой оптики на основе алмаза.