• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • The influence of the discharge current axial component on the magnetic field distribution in the cathode region of magnetron sputtering system
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 октября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, куда смотрят дети и взрослые при чтении
Исследователи Центра языка и мозга НИУ ВШЭ совместно с зарубежными коллегами показали, что в конце первого класса у детей уже сформирован один из важных навыков движений глаз при чтении. Они, как и взрослые, быстро адаптируют длину саккад — быстрых скачков взгляда — к длине слов в предложениях. При этом место, куда приземляется взгляд, у детей смещено к началу слова, в отличие от взрослых, которые смотрят в середину слова. Чем выше беглость чтения, тем ближе эта позиция к центру. Результаты исследования опубликованы в Journal of Experimental Child Psychology.
13 октября 2026 г.
Российские ученые поставили под сомнение установление рекорда в замерах свойств сверхпроводников
Топологические изоляторы проводят ток только по поверхности и поэтому рассматриваются как перспективные материалы для будущей электроники и квантовых технологий. Особый интерес представляет их контакт со сверхпроводниками. Физики из НИУ ВШЭ показали, что недавний эксперимент, в котором в такой гибридной структуре якобы наблюдалось объединение электронных пар на рекордном расстоянии 1,5 мкм, допускает более прозаичное объяснение. По их мнению, тот же сигнал может быть обусловлен обычным прохождением электронов через сверхпроводник. Дискуссия исследователей развернулась на страницах Nature Physics.
12 октября 2026 г.
Устойчивое управление и стоимость бизнеса: экономисты ВШЭ выяснили, как они связаны на российском рынке
На российском рынке устойчивое развитие повышает стоимость бизнеса прежде всего тогда, когда становится частью корпоративной стратегии. К такому выводу пришли исследователи НИУ ВШЭ и их зарубежные коллеги, проанализировав практики управления 152 публичных российских компаний. Статья опубликована в журнале Business Strategy and the Environment.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

The influence of the discharge current axial component on the magnetic field distribution in the cathode region of magnetron sputtering system

Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 872. No. 1. Article 012046.
Goncharov V., Сорокин К. С., Fiskin E.
Научное направление: Физика Электроника и электротехника Технологии материалов
Язык: английский
DOI
Ключевые слова: magnetron sputteringmagnetronmagnetismmagnetic fieldsElectromagnetic fieldsmodified electrodes
Похожие публикации
Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator
Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Phase Transitions in the Ni2.14Mn0.81Fe0.05Ga Heusler Alloy under the Influence of a Magnetic Fild and Hydrostatic Pressure
Смерчанский П. С., Koledov V. V., Kamantsev A. P. и др., Physics of Metals and Metallography 2026 Vol. 127 No. 6-7 P. 689–693
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Разработка метода модификации поверхности чугуна ВЧ40 с повышенной стойкостью к гидроабразивному износу
Сказочкин А. В., Бондаренко Г.Г., Гайдар А. И. и др., Перспективные материалы 2026 № 11 С. 60–75
Рассмотрены механизмы структурно-фазовой перестройки и физико-химические процессы при формировании износостойких и коррозионно-пассивных покрытий на чугуне ВЧ40 комбинированной технологией, сочетающей ультразвуковое пластическое деформирование и электроискровое легирование (ЭИЛ). Образцы модифицировали ультразвуковым индентором (УЗИ) в среде микрочастиц SiO2 (5 мкм) под давлением 400 МПа с последующим ЭИЛ графитовым и твердосплавным (ВК8) электродом. Структуру, состав и микротвердость изучали методами сканирующий электронный микроскопии совмещенной с энергодисперсионной рентгеновской ...
Добавлено: 16 октября 2026 г.
Structure and conformational dynamics of formamide molecule in the ground and lowest excited electronic states
Тукачев Н. В., Bataev V., Abramenkov A. и др., Computational and Theoretical Chemistry 2016 No. 1080 P. 23–32
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Conformational analysis of N-methylformamide in ground S0 and excited S1 and T1 electronic states
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2016 Vol. 177 P. 291–300
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Conformational analysis of acetamide in the ground and lowest excited electronic states
Тукачев Н. В., Bataev V. А., Godunov I. А., Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 2017 Vol. 192 P. 30–41
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Conformational analysis of N-methylacetamide molecule in the ground and excited electronic states
Тукачев Н. В., Bataev V. A., Godunov I. A., Computational and Theoretical Chemistry 2017 Vol. 1113 P. 82–93
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Ground state geometry of PPV oligomers
Тукачев Н. В., Maslennikov D., Sosorev A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2019 Vol. 10 No. 12 P. 3232–3239
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Effects of π-spacer and fluorine loading on the optoelectronic and photovoltaic properties of (X-DADAD)n benzodithiophene-based conjugated polymers
Тукачев Н. В., Akkuratov A., Kuznetsov I. и др., Synthetic Metals 2020 Vol. 259 Article 116231
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Toward probing of the local electron–phonon interaction in small-molecule organic semiconductors with Raman spectroscopy
Тукачев Н. В., Nuraliev M., Parashchuk O. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 17 Article 174303
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Design of Novel Thiazolothiazole-Containing Conjugated Polymers for Organic Solar Cells and Modules
Тукачев Н. В., Akkuratov A., Nikitenko S. и др., Solar Energy 2020 Vol. 198 P. 605–611
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Impact of the acceptor units on optoelectronic and photovoltaic properties of (XDADAD)n-type copolymers:computational and experimental study
Тукачев Н. В., Klimovich I., Prudnov F. и др., Dyes and Pigments 2021 Vol. 185 Article 108899
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Suppression of dynamic disorder by electrostatic interactions in structurally close organic semiconductors
Тукачев Н. В., Sosorev A., Parashchuk O. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 29 P. 15485–15491
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Low-frequency vibrational modes in G-quadruplexes reveal the mechanical properties of nucleic acids
Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Ramakrishnan G. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2021 Vol. 23 No. 23 P. 13250–13260
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Understanding the emergence of the boson peak in molecular glasses
Тукачев Н. В., González-Jiménez M., Barnard T. и др., Nature Communications 2023 Vol. 14 Article 215
Добавлено: 14 октября 2026 г.
A Second Glass Transition Observed in Single-Component Homogeneous Liquids Due to Intramolecular Vitrification
Тукачев Н. В., Mali G., Tassieri M. и др., Journal of the american chemical society 2023 Vol. 145 No. 48 P. 26061–26067
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Reliability of DFT and multiscale modelling for prediction of emission properties of blue TADF luminophores
Тукачев Н. В., Dubinets N. O., Dominskiy D. I. и др., Optical Materials 2024 Vol. 157 No. 2 P. 1–8
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Fluorinated polythiophenes with ester side chains for boosting the Voc and efficiency in non-fullerene polymer solar cells
Тукачев Н. В., Su L., Zhou Y. и др., Polymer 2025 Vol. 326 Article 128336
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Hydrogen Halide Gas Sensors: Active Materials, Operation Principles, and Emerging Technologies
Тукачев Н. В., Liu X., Wang K. и др., INTERDISCIPLINARY MATERIALS 2026 Vol. 5 No. 1 P. 85–123
Добавлено: 14 октября 2026 г.
Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network
Дмитриев А. В., Корнилов В. В., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network
Дмитриев А. В., Shulman I., Лебедев А. А., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Неравновесное состояние в квазиодномерных сверхпроводящих каналах
Арутюнов К. Ю., Харитонов И. А., Петросянц К. О., JETP Letters 2026 Vol. 124 No. 6 P. 1–16
Добавлено: 13 октября 2026 г.
The effect of magnetic field dissipation in the inner heliosheath: reconciling global heliosphere model and voyager data
Sergey D. Korolkov, Igor I. Baliukin, Opher M., Advances in Space Research 2026 Vol. 77 No. 6 P. 7443–7454
Добавлено: 27 февраля 2026 г.
Влияние толщины магнитных слоев на обменное смещение и одноосную анизотропию в гетероструктурах Co/FeMn
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 9 С. 1022–1030
Исследовано влияние толщин ферро- и антиферромагнитных слоев на магнитные свойства синтезированной структуры Pt/Co/FeMn/Pt на кремниевой подложке SiO2. Для экспериментального и теоретического исследования использовали петли магнитного гистерезиса, угловые зависимости спектров ферромагнитного резонанса и выражение для резонансного поля, полученное в ходе решения уравнения Ландау–Лифшица для динамики намагниченности. Установлены величины коэрцитивного поля, а также полей однонаправленной и одноосной анизотропии при толщинах антиферромагнитного слоя 5, ...
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору