?
Emission properties of GaN planar hexagonal microcavities
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. 2020. Vol. 217. No. 14. Article 1900894.
Pozina G., Hemmingsson C., Levitskii I., Mitrofanov M., Girshova E., Иванов К. А., Rodin S., Morozov K., Evtikhiev V., Kaliteevski M.
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Martins G., Berman O., Gumbs G. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 10 Article 104304
Добавлено: 24 октября 2022 г.
Разработан микроскоп, который позволяет исследовать внутренние неоднородности показателя преломления оптических диэлектрических микрорезонаторов методом оптической томографии. Экспериментально
исследовано влияние внутренних неоднородностей показателя преломления оптических диэлектрических
микрорезонаторов, изготовленных методом термообработки, на их добротность. ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.
Pozina G., Иванов К. А., Mitrofanov M. и др., Physica Status Solidi (B): Basic Research 2019 Vol. 256 No. 6 Article 1800631
Добавлено: 9 октября 2021 г.
Morozov K., Иванов К. А., Girshova E. и др., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1410 No. 1 Article 012156
Добавлено: 9 октября 2021 г.
Toropov A. A., Evropeitsev E. A., Nestoklon M. O. и др., Nano Letters 2020 Vol. 20 No. 1 P. 158–165
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Scherbak S., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., , in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and NanostructuresVol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation.: Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. P. 012128-1–012128-6.
Добавлено: 27 января 2021 г.
Бабичев А. В., Кадинская С. А., Шубина К. Ю. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 9 С. 833–840
Представлены результаты экспериментов по созданию и изучению свойств фотодетекторных структур на основе монослойного графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы. В качестве базовой конструкции взята геометрия вертикального микрорезонатора Ta2O5 с нижним диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем SiO2/Ta2O5 с резонансной длиной волны вблизи 850 нм. Прове- дена оптимизация условий переноса и формирования мез в слое графена ...
Добавлено: 9 ноября 2020 г.
Demenev A. A., Yaremkevich D. D., Scherbakov A. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2019 Vol. 100 No. 10 P. 100301
Добавлено: 20 ноября 2019 г.
Stochastic and deterministic switches in a bistable polariton micropillar under short optical pulses
Uvarov A. V., Gavrilov S S, Kulakovskii V D и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2019 Vol. 99 No. 3 P. 033837
Добавлено: 20 ноября 2019 г.
Добавлено: 19 ноября 2019 г.