• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Исследование комплексного воздействия интенсивных потоков ионов аргона и импульсного лазерного излучения на поверхность ванадия и сплавов на его основе
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
21 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ показали, что врожденные нарушения моторики влияют на развитие мозга
Исследователи из Института когнитивных нейронаук НИУ ВШЭ обобщили результаты своих предыдущих исследований, посвященных особенностям развития мозга у детей с акушерским параличом плечевого сплетения и артрогрипозом. Анализ показал, что нарушение моторики в раннем возрасте не только ведет к недостатку двигательного опыта, но и влияет на память, категориальное мышление и обработку информации. Работа опубликована в журнале Frontiers in Psychology.
22 сентября 2026 г.
Как россияне взаимодействуют с ИИ при поиске информации в интернете
Школа коммуникаций НИУ ВШЭ и Online Market Intelligence провели исследование пользовательского поискового опыта в российском сегменте интернета. Как показали результаты, пользователи в России уже воспринимают ИИ-ответ в выдаче как естественную часть поиска и используют его наравне с привычным списком ссылок. При этом на рынке самостоятельных нейросетей (отдельных чат‑ботов) уверенно лидирует Алиса AI от Яндекса  —  ее регулярно используют 40 % опрошенных.
18 сентября 2026 г.
«Время на содержательные вопросы у нас не лимитировалось»
Международная лаборатория атомистического суперкомпьютерного моделирования и многомасштабного анализа НИУ ВШЭ провела масштабную конференцию «Молекулярная динамика». Участники могли услышать всех докладчиков, а сами докладчики — ответить на любое количество содержательных вопросов. О подготовке конференции и дискуссиях «Вышка.Главное» поговорила с заведующим лабораторией Григорием Смирновым и ее главным научным сотрудником Генри Норманом.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Исследование комплексного воздействия интенсивных потоков ионов аргона и импульсного лазерного излучения на поверхность ванадия и сплавов на его основе

Вопросы атомной науки и техники. Термоядерный синтез. 2021. Т. 44. № 3. С. 82–93.
Боровицкая И. В., Коршунов С. Н., Мансурова А. Н., Бондаренко Г. Г., Люблинский И. Е.

В работе представлен обзор исследований о влиянии интенсивных потоков ионов аргона и мощного импульсного лазерного излучения на свойства: микротвёрдость, радиационную эрозию, структурные изменения, сопротивление коррозии в жидком литии, а также изменение топографии поверхности в условиях отдельного и последовательного облучения ионами Ar+ и лазер-ного излучения малоактивируемых сплавов ванадия (V—0,59Ga; V—1,86Ga; V—3,49Ga; V—3,4Ga—0,62Si; V—4,51Ga—5,66Cr; V—4,8Ti—4,82Cr) в сравнении с чистым ванадием. Облучение материалов ионами аргона проводили в вакууме в уско-рителе ИЛУ в следующем режиме: энергия 20 кэВ, доза 1022 м–2, плотность потока ионов 6·1018 м–2·с–1, Тобл ~ 700 К; лазерное облучение в установке ГОС 1001 в вакууме в режиме модулированной добротности: плотность мощности потока q = 1,2·1012 Вт/м2, длительность импульса τ0 = 50 нс, число импульсов от 1 до 4. Впервые обнаружен ряд новых явлений: воз-можность появления радиационного блистеринга при имплантации в металлы тяжёлых ионов; проявление эффекта дальнодей-ствия, который состоит в двухстороннем изменении микротвёрдости, текстуры мишени и морфологии поверхности; увеличение эрозии материалов при последовательном воздействии на них ионов и лазерного излучения. Показана идентичность механиз-мов коррозии как облучённых ионами аргона, так и необлучённых материалов при испытании в жидком литии при температуре 600 ºC в течение 400 ч, которая заключается в незначительном проникновении азота в материалы и значительном выходе из них кислорода, что вызывает формирование зоны с пониженной микротвёрдостью вблизи поверхности образцов.

Научное направление: Физика
Язык: русский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: ионы аргоналазерное излучениеlaser radiationargon ionsvanadiumванадий
Похожие публикации
Interaction-limited conductivity of twisted bilayer graphene revealed by giant terahertz photoresistance
Shilov A. L., Elesin L., Kravtsov M. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 Article 9734
Добавлено: 20 сентября 2026 г.
Drift Towards Isotropization during the 3D Hydrodynamic Turbulence Onset
Копьев А., JETP Letters 2026 Vol. 123 No. 5 P. 310–316
Добавлено: 18 сентября 2026 г.
Structural properties of cyanobiphenyl nematics doped with gold nanoparticles: The result of MD simulations
Захаров А. В., Düven H., Capar M. I., Physics Letters A 2026 No. 576 Article 131388
С помощью молекулярно-динамического моделирования были изучены структурные свойства нематических жидких кристаллов (ЖК) на основе пентилцианобифенила (5CB) и пентилоксицианобифенила (5OCB), легированных наночастицами золота (НЧЗ) разного количества, формы и размера.  В жидкие кристаллы на основе цианобифенила 5CB и 5OCB были добавлены сферические НЧЗ двух разных радиусов и стержнеобразные НЧЗ.  Для описания структурных свойств цианобифениловых нематических жидких кристаллов, ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
The Effect of the Gate Material in MIS Structures on the High-Field Charge Degradation in the Gate Dielectric
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Vague stimulating ideas, images and metaphors in scientific thinking: researchers' work with horizons of unclear knowledge
Поддьяков А. Н., / Series Social Science Research Network "Social Science Research Network". 2026. No. 7437658.
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Some Aspects of Remote State Restoring in State Transfer Governed by XXZ-Hamiltonian
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Coherence restoring in communication line via controlled interaction with environment
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Macroscopic entanglement distribution with atomic ensembles
Li S., Hu J., Лазарев И. Д. и др., Annals of Physics 2026 Vol. 494 Article 170618
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Quantum Repeater Protocol for Deterministic Distribution of Macroscopic Entanglement, Advanced Quantum Technologies
Pyrkov A., Лазарев И. Д., Byrnes T., Advanced Quantum Technologies 2025 Article 2400524
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Hybrid quantum-classical unsupervised data clustering based on the self-organizing feature map
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Mixing of real and quantum gases
Борщевский А. Я., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 9 P. 4793–4803
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Bridging experiment and molecular dynamics: Mefenamic acid confinement in nanocrystalline cellulose aerogels under scCO2 conditions
D.L. Gurina, Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Configuration-dependent edge and corner superconductivity in 𝑠-wave kagome superconductors
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Interband effects in the intertype regime of dirty two-band superconductors
P. M. Marychev, A. A. Shanenko, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Элементы теории топологических изоляторов
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Влияние мощного импульсного лазерного воздействия на структуру и свойства поверхностного слоя ванадия, предварительно облучённого ионами инертных газов (обзор)
Боровицкая И. В., Коршунов С. Н., Мансурова А. Н. и др., Металлы 2024 № 1 С. 42–52
Обобщены результаты исследований, выполненных авторами по изучению влияния воздействия мощного лазерного излучения на морфологию и микротвёрдость поверхности ванадия, предварительно имплантированного ионами инертных газов (гелия и аргона). Облучение импульсами лазера проводили в установке ГОС 1001 в режиме модулированной добротности (с плотностью мощности потока q равной 1,2 × 1012 Вт/м2, длительностью импульса τ0 = 50 нс, числом ...
Добавлено: 6 марта 2024 г.
Государственный первичный эталон единицы средней мощности лазерного излучения ГЭТ 28-2022
Иванов В. С., Крутиков В. Н., Микрюков А. С. и др., Измерительная техника 2023 № 4 С. 5–10
Представлено метрологическое обеспечение единства измерений параметров высокоинтенсивного лазерного излучения технологического и специального оборудования. Разработана и исследована система стабилизации по мощности лазера с выходной мощностью 2-1·104 Вт. Представленная система стабилизации позволяет снизить погрешность передачи единицы средней мощности лазерного излучения при применении технологического лазера с нестабильной выходной мощностью в составе эталона. Утверждён Государственный первичный эталон единицы средней ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Morphology and Strength Properties Changes of Vanadium Surface under the Influence of Helium Ions and Pulsed-Laser Irradiation
Borovitskaya I. V., Korshunov S. N., Mansurova A. N. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2023 Vol. 17 No. 1 P. 59–65
Добавлено: 26 марта 2023 г.
Изменение морфологии и прочностных свойств поверхности ванадия при воздействии ионов гелия и импульсного лазерного излучения
Боровицкая И. В., Коршунов С. Н., Мансурова А. Н. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2023 № 1 С. 67–73
Исследовано влияние мощного импульсного лазерного излучения, создаваемого в установке ГОС 1001 в режиме модулированной добротности (плотность мощности потока q = 1.2 × 1012 Вт/м2, длительность импульса τ0 = 50 нс, число импульсов N = 1–4) в вакууме, на пористую структуру поверхности образцов ванадия, сформированную после имплантации ионов гелия (энергия 30 кэВ, доза 2.0 × 1023 м–2, плотность потока ...
Добавлено: 1 марта 2023 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору