?
Chlorine insertion and manipulation on the Si(100)-2x1-Cl surface in the regime of local supersaturation
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2020. Vol. 101. No. 23. P. 235410-235410.
T.V. Pavlova, Шевлюга В. М., B.V. Andryushechkin и др., Applied Surface Science 2020 Vol. 509 P. 145235
Добавлено: 18 мая 2020 г.
Павлова Т. В., Physical Chemistry Chemical Physics 2020 Vol. 22 P. 21851-21857
Добавлено: 2 ноября 2020 г.
T.V. Pavlova, Eltsov K. N., Journal of Physics: Condensed Matter 2021 Vol. 33 No. 38 Article 384001
Добавлено: 9 октября 2021 г.
Nikita S. Komarov, Tatiana V. Pavlova, Boris V. Andryushechkin, Journal of Physical Chemistry C 2019 Vol. 123 No. 45 P. 27659-27665
Добавлено: 25 октября 2019 г.
СПб. : ФГБУ "ПИЯФ" НИЦ "Курчатовский институт", 2014
Представлены тезисы докладов Совещания и Молодежной конференции по использованию рассеяния нейтронов и синхротронного излучения в конденсированных средах (РНСИ-КС-2014). ...
Добавлено: 11 марта 2015 г.
Skorokhodov E., Zhidomirov G.M., Eltsov K.N. и др., Journal of Physical Chemistry C 2019 Vol. 123 No. 32 P. 19806-19811
Добавлено: 25 октября 2019 г.
Павлова Т. В., Шевлюга В. М., Андрюшечкин Б. В. и др., Applied Surface Science 2022 Vol. 591 P. 153080-153080
Добавлено: 17 октября 2022 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Черник В. Н., Бондаренко Г. Г., Гайдар А. И. и др., Известия высших учебных заведений. Физика 2008 Т. 51 № 11/2 С. 6-9
Представлены результаты измерения коэффициентов химического распыления углеситалла УСБ-15, пироуглерода ПГИ, пирографита УПВ-1, экспонированных в ускоренных частично диссоциированных потоках кислородной плазмы с энергией ионов 90 эВ. Для исследованных нелегированных материалов УПВ-1 и ПГИ коэффициент химического распыления не зависит от степени совершенства кристаллической решетки и составляет 0,94-0,96 атомов/атом. При легировании бором коэффициент распыления углеситалла УСБ-15 с 8% ...
Добавлено: 4 января 2013 г.
Vladimir M. Shevlyuga, Vorontsova Y., Tatiana V. Pavlova, Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 19 P. 8978-8983
Добавлено: 29 мая 2023 г.
Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells
Baidakova N. A., Вербус В. А., Morozova E. E. и др., Semiconductors 2017 Vol. 51 No. 12 P. 1542-1546
Добавлено: 16 февраля 2018 г.
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.
Diffusion transport of material sputtered from the surface of the powered electrode in the asymmetric alternating current discharge is theoretically studied. It is shown that amplitudes of the non-stationary component of the sputtered atom (SA) flow densities at the electrodes depend on the discharge frequency and two dimensionless parameters, which are functions of the SA ...
Добавлено: 21 ноября 2013 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153-157
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Львов Б. Г., Николаевский А. В., Наноинженерия 2013 № 6(24) С. 32-35
Экспериментально пределены основные закономерности влияния воздушного адсорбата на интерпретацию изображений тонких металических пленок в сканирующей туннельной микроскопии. Осуществлена модификация рельефа поверхности тонкой пленки Pt на воздухе. Установлен эффект формирования поверхностных структур размером 50-100 нм, образованных скоплениями поляризованных молекул адсорбата под действием сильного электрического поля в межэлектродном зазоре. Получены оценочные пороговые значения напряжения и тока туннельного ...
Добавлено: 16 июля 2013 г.
Никонов Э. Г., Назмитдинов Р. Г., Глуховцев П. И., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2023 № 2 С. 71-76
Проблема нахождения равновесных конфигураций одноименно заряженных частиц (ионов), индуцированных внешними электростатическими полями в планарных системах, представляет огромный интерес как для фундаментальных, так и прикладных исследований. В настоящей работе представлены результаты численного анализа равновесных конфигураций отрицательно заряженных
частиц (электронов), запертых в круговой области бесконечным внешним потенциалом на ее границе. Для поиска устойчивых конфигураций с минимальной энергией разработан ...
Добавлено: 19 июля 2023 г.
Вербус В. А., Байдакова Н. А., Морозова Е. Е. и др., Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51 № 12 С. 1599-1604
В работе для растворов КОН и HF : H2O2 : CH3COOH исследована селективность травления SiGe-структур в зависимости от их состава. Полученные результаты предложено использовать для создания на кремнии субмикронного рельефа поверхности за счет селективного травления структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). В предлагаемом подходе наноостровки Ge(Si) служат маской для селективного травления Si в водном растворе KOH ...
Добавлено: 15 февраля 2018 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3-6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Starikov S., Gordeev I., Lysogorskiy Y. и др., Computational Materials Science 2020 Vol. 184 Article 109891
Добавлено: 28 января 2022 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Andryushechkin B. V. и др., Applied Surface Science 2022 Vol. 591 Article 153080
Добавлено: 22 июня 2022 г.
T.V. Pavlova, G.M. Zhidomirov, K.N. Eltsov, The Journal of Physical Chemistry C (США) 2018 Vol. 122 No. 3 P. 1741-1745
Добавлено: 10 января 2019 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Монахов И. С. и др., Russian Microelectronics 2014 Vol. 43 No. 8 P. 587-589
The monitoring methods for measuring the film structure parameters in formation process, namely, the in situ methods, are currently of special significance. Their application provides obtaining the films with the given characteristics, which results in a fast correction of the technological modes. The possibilities of the in situ method of the X-ray reflectometry for defining ...
Добавлено: 11 марта 2015 г.
М. : [б.и.], 2021
Тематика Трудов конференции охватывает фундаментальные и прикладные вопросы взаимодействия плазмы и ионов с поверхностью - столкновительные процессы, ориентационные эффекты, распыление и рассеяние частиц, структурные повреждения, деградация и улучшение физико-механических свойств материалов при воздействии корпускулярного излучения и др. ...
Добавлено: 12 сентября 2021 г.